大聯(lián)大旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的展示板圖 當前，全球對于可再生能源的關(guān)注度日益提高，作為一種可持續發(fā)展的清潔能源，太陽(yáng)能已被廣泛應用于家庭、工業(yè)和商業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域。然而，隨著(zhù)太陽(yáng)能的應用范圍進(jìn)一步擴大，業(yè)內迫切需要更高效率的能源轉換技術(shù)來(lái)提升太陽(yáng)能系統的性能。對此，大聯(lián)大品佳基于Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋（PSFB）方案，其通過(guò)先進(jìn)的半導體器件及控制算法將PSFB拓撲設計的效率達到了全新水平。
圖示2-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的場(chǎng)景應用圖 XMC4200是一款基于A(yíng)rm® Cortex®-M4內核的工業(yè)級微控制器，具有16位和32位Thumb2指令集、DSP/MAC指令、浮點(diǎn)單元、存儲器保護單元以及嵌套矢量中斷控制器。內部集成了16KB引導ROM，擁有多達16KB高速程序存儲器、24KB高速數據存儲器和256KB帶閃存以及豐富的通信外設，能夠在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中實(shí)現出色的性能。 CFD7 CoolMOS MOSFET是Infineon旗下CFD7系列具有集成快速體二極管的高壓超級結MOSFET技術(shù)的產(chǎn)品，非常適用于高功率SMPS應用，如服務(wù)器/電信/EV充電站等。通過(guò)將表面貼裝器件（SMD）封裝中的一流600V CFD7 CoolMOS MOSFET與150V OptiMOS 5同步整流器結合使用，可以在buck模式下實(shí)現98%的效率，在boost模式下實(shí)現97%的效率。
圖示3大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的方塊圖 得益于半導體產(chǎn)品的出色性能和先進(jìn)SMD封裝技術(shù)以及創(chuàng )新的堆疊磁性結構，本方案可實(shí)現4.34 W/cm³（71.19 W/in³）的功率密度，再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統拓撲標準或構造的情況下，實(shí)現更加出色的能源效率。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 具有高功率密度、高效率； 以相移全橋（PSFB）實(shí)現雙向能量轉換器； 具有20μs 140%加負荷； 以CFD7系列MOS實(shí)現高效率可能性； 具有多種保護模式和可配置參數，提高產(chǎn)品設計靈活度。 方案規格： 輸入電壓及頻率操作為：DC 380V； 輸出電壓為：60V - 40V； 降壓模式效率高達98%，升壓模式效率高達97%； 功率密度為4.34 W/cm³（71.19 W/in³）； 采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS CFD7。 |
