在工業(yè)應用 SMPS 的設計上，最新的技術(shù)趨勢會(huì )將高效率、高功率密度及總線(xiàn)電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對 650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下 650 V CoolMOS CFD7 產(chǎn)品系列即可滿(mǎn)足上述需求。此器件適用于軟切換應用的諧振拓撲，例如通信電源、服務(wù)器、太陽(yáng)能和非車(chē)載的電動(dòng)車(chē)充電。 
由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開(kāi)關(guān)性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個(gè)負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中，相較于競爭產(chǎn)品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿(mǎn)載效率也有所提升。此外，同級最低 RDS(on) 也能讓客戶(hù)能以極具競爭力的價(jià)格，提升 SMPS 的功率密度。 新款 650 V器件擴展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。新款 650 V 產(chǎn)品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓撲，較前幾代產(chǎn)品能提供多項優(yōu)勢。本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升 50 V，搭配整合高速本體二極管技術(shù)及更出色的切換效能，非常適合用于當代設計。極低的反向恢復電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢。 開(kāi)關(guān)損耗與 RDS(on) 過(guò)熱相依性皆大幅降低，此產(chǎn)品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開(kāi)關(guān)性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個(gè)負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中，相較于競爭產(chǎn)品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿(mǎn)載效率也有所提升。此外，同級最低 RDS(on) 也能讓客戶(hù)能以極具競爭力的價(jià)格，提升 SMPS 的功率密度。 供貨情況 TO-220、TO-247 及 TO-247 4 引腳封裝的 650 V CoolMOS CFD7 現已接受訂購。詳細信息請瀏覽 www.infineon.com/650V-CFD7。 |
