英飛凌科技股份公司推出600 V CoolMOS 8 高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續產(chǎn)品。全新超結MOSFET實(shí)現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應用。
600 V CoolMOS 8 600 V QDPAK TSC 這些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封裝，不僅簡(jiǎn)化了設計，還降低了組裝成本。在10 V電壓下，600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET的柵極電荷（Qg）較CFD7降低了18%，較 P7降低了33%。在400 V電壓下，該產(chǎn)品系列的輸出電容COSS較CFD7和P7降低了50%，關(guān)斷損耗（Eoss） 較CFD7和P7降低了 12%，反向恢復電荷（Qrr）較CFD7降低了3%。此外，這些器件的反向恢復時(shí)間（trr）更短，熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。 憑借這些特性，該系列器件能夠在LLC和ZVS 相移全橋等軟開(kāi)關(guān)拓撲結構中實(shí)現高效率和高可靠性。它們在 PFC、TTF及其他硬開(kāi)關(guān)拓撲中同樣具有出色的性能水平。由于優(yōu)化了RDS(on)，這些半導體器件擁有更高的功率密度，能使采用硅基超級結（SJ）技術(shù)的產(chǎn)品降低到7 mΩ的個(gè)位數值。 供貨情況 600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET樣品現已推出。了解更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/coolmos8。 |
