英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系統功率密度

發(fā)布時(shí)間:2024-6-13 21:01    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: CoolSiC , MOSFET
在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下,電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過(guò)采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴展其 CoolSiC MOSFET分立式半導體器件 650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代(G2)技術(shù),在性能、可靠性和易用性方面均有顯著(zhù)提升,專(zhuān)門(mén)用于中高檔開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如AI服務(wù)器、可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)充電器、大型家用電器等。


CoolSiC MOSFET 650 V G2組合1-1

該系列的Thin-TOLL封裝外形尺寸為 8x8 mm,具有市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品中領(lǐng)先的板上熱循環(huán)(TCoB)能力。TOLT 封裝是一種頂部散熱(TSC)封裝,其外形尺寸與 TOLL相似。這兩種封裝都能為開(kāi)發(fā)者帶來(lái)諸多優(yōu)勢。例如,在A(yíng)I和服務(wù)器電源裝置(PSU)中采用這兩種封裝,可以減少子卡的厚度和長(cháng)度并允許使用扁平散熱器。微型逆變器、5G PSU、電視 PSU 和 SMPS通常采用對流冷卻,Thin-TOLL 8x8封裝用于這些應用時(shí),可以更大程度地減少主板上電源裝置所占的PCB面積。與此同時(shí),TOLT還能控制設備的結溫。此外,TOLT 器件還與英飛凌采用Q-DPAK封裝的 CoolSiC 750 V這一頂部散熱CoolSiC™ 工業(yè)產(chǎn)品組合形成了互補。當器件所需的電源不需要Q-DPAK封裝時(shí),開(kāi)發(fā)者可使用TOLT器件減少SiC MOSFET占用的 PCB 面積。

供貨情況

采用 ThinTOLL 8x8和TOLT封裝的 650 V G2 CoolSiC MOSFET目前的RDS(on) 為20、40、50 和 60 mΩ。TOLT系列還推出了RDS(on) 為15 mΩ的型號。到2024年底,該產(chǎn)品系列將推出更多型號。了解更多信息,敬請訪(fǎng)問(wèn) www.infineon.com/coolsic-gen2。

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