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1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品 Nexperia今天宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。 
隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開(kāi)關(guān)日益增長(cháng)的需求，這種開(kāi)關(guān)在電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電（充電樁）、不間斷電源(UPS)以及太陽(yáng)能和儲能系統(ESS)逆變器等各種工業(yè)應用中越來(lái)越受歡迎。這也進(jìn)一步證明了Nexperia與三菱電機公司(MELCO)之間成功的戰略合作伙伴關(guān)系，兩家公司聯(lián)手將SiC寬帶隙半導體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時(shí)還提高了該技術(shù)的未來(lái)生產(chǎn)能力，以滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的市場(chǎng)需求。 RDSon是SiC MOSFET的一個(gè)關(guān)鍵性能參數，因為它會(huì )影響傳導功率損耗。然而，許多制造商只關(guān)注標稱(chēng)值，而忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著(zhù)設備工作溫度的升高，RDSon相比室溫下的標稱(chēng)值可能會(huì )增加100%以上，從而造成相當大的傳導損耗。Nexperia發(fā)現這也是造成目前市場(chǎng)上許多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng )新型工藝技術(shù)特性，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的RDSon溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDSon的標稱(chēng)值僅增加38%。 嚴格的閾值電壓VGS(th)規格使這些MOSFET分立器件在并聯(lián)時(shí)能夠提供平衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率，同時(shí)還能放寬對續流操作的死區時(shí)間要求。 欲了解有關(guān)Nexperia SiC MOSFET的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://www.nexperia.cn/sic-mosfets |
