英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)功率應用對更高能效和功率密度日益增長(cháng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車(chē)規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)驅動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲能系統、固態(tài)斷路器、UPS系統、服務(wù)器/數據中心、電信等）和汽車(chē)領(lǐng)域（包括車(chē)載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）。
CoolSiC MOSFET 750V QDPAK CoolSiC MOSFET 750 V G1技術(shù)的特點(diǎn)是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優(yōu)值（FOM），在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓撲結構中均具有超高的效率。其獨特的高閾值電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低QGD/QGS比率組合具有對寄生導通的高度穩健性并且實(shí)現了單極柵極驅動(dòng)，不僅提高了功率密度，還降低了系統成本。所有半導體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術(shù)，在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設計加上英飛凌的認證標準保證了長(cháng)期穩定的性能。 全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列在25°C時(shí)的RDS(on)為8至140 mΩ，可滿(mǎn)足廣泛的需求。其在設計上具有較低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗，大幅提升了整體系統效率。創(chuàng )新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優(yōu)化電路內功率環(huán)路電感，在實(shí)現高功率密度的同時(shí)降低了系統成本。值得一提的是，該產(chǎn)品系列采用了先進(jìn)的QDPAK頂部冷卻封裝。 供貨情況 適用于汽車(chē)應用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝；適用于工業(yè)應用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封裝。更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes和系列網(wǎng)絡(luò )研討會(huì )。 |
