英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。
CoolSiC 650v-1200v CoolSiC MOSFET Generation 2 (G2) 技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程中的效率。這為光伏、儲能、直流電動(dòng)汽車(chē)充電、電機驅動(dòng)和工業(yè)電源等功率半導體應用領(lǐng)域的客戶(hù)帶來(lái)了巨大優(yōu)勢。與前幾代產(chǎn)品相比，采用CoolSiC G2 的電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，并且在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現更高的充電功率�；贑oolSiC G2器件的牽引逆變器可進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續航里程。在可再生能源領(lǐng)域，采用 CoolSiC G2的太陽(yáng)能逆變器可以在保持高功率輸出的同時(shí)實(shí)現更小的尺寸，從而降低每瓦成本。 英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趨勢是采用高效的新方式來(lái)產(chǎn)生、傳輸和消耗能量。英飛凌憑借 CoolSiC MOSFET G2 將碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技術(shù)使廠(chǎng)商能夠更快地設計出成本更低、結構更緊湊、性能更可靠，且效率更高的系統，在實(shí)現節能的同時(shí)減少現場(chǎng)的每瓦二氧化碳排放。這充分體現了英飛凌堅持不懈持續推動(dòng)工業(yè)、消費、汽車(chē)領(lǐng)域的低碳化和數字化的創(chuàng )新�！� 英飛凌開(kāi)創(chuàng )性的CoolSiC MOSFET溝槽柵技術(shù)推動(dòng)了高性能CoolSiC G2解決方案的發(fā)展，實(shí)現了更加優(yōu)化的設計選擇，與目前的SiC MOSFET技術(shù)相比，具有更高的效率和可靠性。結合屢獲殊榮的.XT封裝技術(shù)，英飛凌以更高的導熱性、更優(yōu)的封裝控制以及更出色的性能，進(jìn)一步提升了基于 CoolSiC G2 的設計潛力。 英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的所有的關(guān)鍵功率技術(shù)，可提供靈活的設計和領(lǐng)先的應用知識，滿(mǎn)足現代設計的期待和需求。在推動(dòng)低碳化的過(guò)程中，基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶（WBG）材料的創(chuàng )新半導體已成為能源高效利用的關(guān)鍵。 歡迎點(diǎn)擊這里報名參加4月16日的2024年英飛凌寬禁帶開(kāi)發(fā)者論壇。 |
