哪一個(gè)更簡(jiǎn)單,選擇熱插拔控制器,還是功率MOSFET?

發(fā)布時(shí)間:2015-1-28 13:52    發(fā)布者:eechina
作者:Rich Nowakowski,TI公司

我曾經(jīng)遇到過(guò)節假日有客人上門(mén),必須跑到商店,在關(guān)門(mén)前挑選幾件物品的情況。我當時(shí)就意識到“跑”(run)這個(gè)單詞會(huì )有多少種意思呢。我聽(tīng)說(shuō)單單作為動(dòng)詞,他就有645個(gè)意思,并且還在不斷增加!表面上看起來(lái)很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì )很復雜。想一想,功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(cháng)假過(guò)后,當回到辦公室開(kāi)始設計全新的電源管理熱插拔應用時(shí),我想到看起來(lái)簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì )有多么復雜,還有就是在為熱插拔應用和功率轉換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì )有什么不同。


圖1:看起來(lái)簡(jiǎn)單的N通道MOSFET

熱插拔電路使用一個(gè)功率MOSFET作為串聯(lián)限流器件,并且控制啟動(dòng)涌入電流和故障電流。瞬變和故障事件發(fā)生期間,MOSFET的能耗會(huì )大于穩定狀態(tài)下消耗的電能,并且會(huì )超過(guò)MOSFET的發(fā)熱限值,所以設計人員必須確保MOSFET在其安全工作區 (SOA) 內運行。有很多不錯的資源可以幫助設計人員選擇一款合適的MOSFET來(lái)滿(mǎn)足所有事件區域內的功率耗散要求。請閱讀“穩健耐用的熱插拔設計”來(lái)了解與MOSFET選擇相關(guān)的設計過(guò)程。

德州儀器 (TI) 還提供針對熱插拔應用的詳細Excel表格計算器。此應用使用應用注釋中列出的方法進(jìn)行功率限制。這里有一個(gè)設計計算器的鏈接,此計算器特有TPS27420,一款支持電流監控的2.5V至18V熱插拔控制器。熱插拔和電子熔絲 (e-fuse) 計算器的完整列表請單擊這里。對于TPS27420,一款值得考慮的功率MOSFET協(xié)同器件是采用5mmx6mm SON封裝的全新30V CSD17570Q5B。這款MOSFET在其封裝尺寸內特有業(yè)界最低的0.56毫歐導通電阻(典型值,VGS = 10V),并且專(zhuān)門(mén)針對高電流熱插拔應用進(jìn)行了優(yōu)化。

一個(gè)檢查MOSFET是否能夠耐受熱插拔應用中DC或單脈沖電流的快速方法就是查看MOSFET SOA曲線(xiàn)。這些SOA曲線(xiàn)通常假定結溫從25°C的環(huán)境溫度上升到額定最大結溫,在這個(gè)情況下為150°C。然而,散熱要求常常需要在更高的起始溫度上運行,并且圖中的數據必須根據等式1針對較低的溫度上升值進(jìn)行調整,其中SOAT代表在任意溫度T上的SOA性能,SOAJMAX 代表制造商SOA曲線(xiàn)的一個(gè)特定點(diǎn)上的性能,而TJMAX 和 TA 代表峰值和環(huán)境結溫。

等式1:SOAT =SOAJMAX x (TJMAX – T) / (TJMAX – TA)


圖2:CSD17570Q5B在25°C時(shí)的最大安全工作區

例如,SOA曲線(xiàn)顯示CSD17570Q5B在25°C,1ms脈沖,最大輸入12V的條件下能夠耐受15A(或180W)的電流。比如說(shuō),當MOSFET工作結溫為79°C時(shí),功率性能降為102W = 180W * (150-79) / (150 – 25)。

較短的單音節詞看起來(lái)簡(jiǎn)單,但是意思很復雜-這也一定是他們在排名前40歌曲的歌詞中被廣泛使用的原因。引腳數量低的集成電路也可以很復雜。所以,我投功率MOSFET一票。
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