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作為嵌入式閃存的替代方案，該NVM IP無(wú)需額外光罩和附加工藝步驟 新思科技公司（Synopsys）日前宣布：其全新DesignWare中等容量非易失性存儲器（NVM）IP產(chǎn)品開(kāi)始供貨。Medium Density NVM IP填補了小容量NVM和大容量閃存之間的空白，且無(wú)需額外的光罩或工藝步驟，從而使芯片成本降低多達25%。在把微控制器集成到面向智能傳感器、電源管理和觸摸屏控制器應用的模擬IC設計中時(shí)，中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存儲，消除了對外部EEPROM或閃存的需求。 “今天，那些試圖把微控制器嵌入到其IC中的開(kāi)發(fā)者們被迫支付昂貴的晶圓費用以支持嵌入式閃存，或者使用分立的外部存儲器，而這兩種方式都是代價(jià)高昂的方案，”Semico Research Corp.高級市場(chǎng)分析師Richard Wawrzyniak說(shuō)道�！癝ynopsys的DesignWare中等容量NVM IP填補了小容量非易失性存儲器和大容量嵌入式閃存之間的空白，對于那些尋求在不增加額外成本而增加數千byte非易失性存儲器的開(kāi)發(fā)者而言，Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一個(gè)理想的選擇�！� DesignWare中等容量NVM IP產(chǎn)品為5V CMOS和BCD工藝技術(shù)帶來(lái)了閃存功能。誤碼校正（ECC）功能提供了額外的系統可靠性，同時(shí)減少了集成工作量。與小容量NVM方案相比，這款NVM IP密度提升5 倍；同時(shí)還提供了40納秒的讀取時(shí)間，可提供快速的讀取時(shí)間和實(shí)時(shí)計算。通過(guò)在Synopsys實(shí)驗室內完成的驗證，包括嚴格的性能測試、認證和可靠性測試，該NVM IP可支持-40℃~125℃的溫度范圍，數據可保存10年。 “隨著(zhù)把微控制器集成到模擬IC之中而需要數量越來(lái)越多的存儲器，設計業(yè)者需要成本更低的存儲器解決方案，同時(shí)不犧牲功能，”Synopsys IP和系統原型市場(chǎng)副總裁John Koeter說(shuō)道�！癝ynopsys的DesignWare中等容量NVM IP為設計業(yè)者提供比閃存成本更低的方案，同時(shí)提供了所有必需的功能，來(lái)幫助他們以更小風(fēng)險把NVM集成到系統級芯片（SoC）之中�！� 供貨 使用臺積電（TSMC）180納米5V CMOS和BCD工藝技術(shù)的DesignWare中等容量NVM IP現已對早期采用者供貨。 |
