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在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預期今年第三季進(jìn)入16nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)階段的臺積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預期將進(jìn)一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)。 根據kitguru網(wǎng)站報導指出，三星在稍早于舊金山舉辦的國際固態(tài)電路大會(huì ) (ISSCC)中展示以10nm FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的300mm晶圓，顯示未來(lái)將能藉此技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。三星方面表示，預計將在2016年年底前以10nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器，預期將在處理器尺寸進(jìn)一步精簡(jiǎn)，并且再次降低整體電功耗與散熱表現，估計將可應用在新款Exynos系列處理器，以及新款iPhone使用處理器。 而臺積電方面則是在近期說(shuō)明16nm FinFET技術(shù)趨于穩定，并且可進(jìn)入量產(chǎn)應用階段，預計今年第三季內將可投入產(chǎn)能。除此之外，為了進(jìn)一步追趕三星、Intel等競爭對手，臺積電也傳出將投入100億美元資金，藉此確保10nm制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，預期將進(jìn)一步與三星抗衡，并且協(xié)助ARM盡早進(jìn)入10nm處理器產(chǎn)品發(fā)展。 至于Intel方面也確定將在2016年下半年間進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)，同時(shí)以此技術(shù)生產(chǎn)的Cannonlake平臺系列處理器，也將因為Intel制程技術(shù)精進(jìn)而順利在2016年第三季內推出。 來(lái)源：經(jīng)濟日報 |
