2015年12月1-2日微納電子器件和MEMS可靠性（BEOL）高級培訓班

星紀

為貫徹落實(shí)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，培養一批掌握核心關(guān)鍵技術(shù)，處于世界前沿水平的中青年專(zhuān)家和技術(shù)骨干，以高層次人才隊伍建設推動(dòng)共性、關(guān)鍵性、基礎性核心領(lǐng)域的整體突破，促進(jìn)我國軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)持續快速發(fā)展,工業(yè)和信息化部人才交流中心和比利時(shí)微電子研究中心IMEC定于2015年12月1-2日在復旦大學(xué)共同舉辦“微納電子器件和MEMS可靠性（BEOL）高級培訓班”，邀請IMEC首席科學(xué)家、IEEE高級會(huì )員、比利時(shí)魯汶大學(xué)教授Ingrid De Wolf授課。
本課程聚焦于電氣互連可靠性、封裝可靠性和MEMS可靠性，以及可靠性測試方法和失效分析。課程首先重點(diǎn)介紹后道工序，探討電遷移、電介質(zhì)擊穿、機械應力誘導失效、3D堆疊等內容。然后講解IC封裝、MEMS及其封裝的可靠性、應力加速可靠性測試。最后講述故障模式及影響分析，并介紹可靠性中的失效分析，探討和解釋其原理和典型應用。
一、主辦單位
工業(yè)和信息化部人才交流中心
比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）
二、協(xié)辦單位
復旦大學(xué)（微電子學(xué)院）
麥姆斯咨詢(xún)
上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )
長(cháng)三角IC設計與制造協(xié)同創(chuàng )新中心
三、參加對象
本次課程面向相關(guān)集成電路企業(yè)、科研院所和高等院校從事相關(guān)領(lǐng)域的工程師和研究人員。課程采用全英文授課，不配備翻譯，要求學(xué)員具備相應英語(yǔ)水平。
四、培訓安排
培訓時(shí)間：2015年12月1-2日（2天）
培訓地點(diǎn)：復旦大學(xué)（張江校區），上海市浦東新區張衡路825號
日程安排：11月30日15:00-17:00報到
12月01日8:30舉行開(kāi)班儀式
12月02日17:00舉行結業(yè)儀式
結業(yè)儀式將頒發(fā)工業(yè)和信息化部人才交流中心和比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）共同證書(shū)，參加培訓者可推薦參加國家“軟件和集成電路人才培養計劃”評選。
五、報名方式
請各單位收到通知后，積極選派人員參加。報名截止日期為2015年11月26日，請在此日期前將報名回執表傳真或發(fā)送Email至麥姆斯咨詢(xún)。
郵件題目格式為：報名微納電子器件和MEMS可靠性（BEOL）高級培訓班+單位+人數
麥姆斯咨詢(xún)：
聯(lián)系人：吳越
電 話(huà)：15190305084
E-mail：WuYue@MEMSConsulting.com
六、課程目錄
1. 后道工序可靠性
芯片的后道工序由硅片上數層互連銅金屬線(xiàn)組成。這些金屬線(xiàn)的目的是實(shí)現晶體管之間的電氣連接，傳遞信號給外部世界和接收外部世界的信號。通過(guò)低介電材料使得銅線(xiàn)彼此間實(shí)現電氣隔離。課程首先將進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹，隨后將探討后道工序主要的可靠性問(wèn)題，即電遷移、應力誘導空洞和經(jīng)時(shí)絕緣擊穿(TDDB)。最后將講述到利用多孔低介電材料和減薄芯片的3D堆疊的新技術(shù)帶來(lái)新的失效機理，主要是與機械應力有關(guān)。這些問(wèn)題通常被稱(chēng)為芯片封裝相互影響(CPI)。
(1) 電遷移
(2) 應力誘導空洞和經(jīng)時(shí)絕緣擊穿
(3) 機械故障，芯片封裝相互影響
2. MEMS和封裝相關(guān)可靠性
對于MEMS和微電子封裝，除了典型的電氣失效機理，可能會(huì )出現很多材料相關(guān)和機械問(wèn)題。首先將介紹MEMS的可靠性要求和測試方法并闡述MEMS封裝、隨后將講解MEMS及其封裝中可發(fā)生的典型失效機理，講解中將提供多種示例。此外還將討論一些測試該類(lèi)可靠性的專(zhuān)門(mén)方法。在第二部分中，將回顧IC芯片封裝中可能發(fā)生的失效機理，并介紹一些典型的測試標準及相關(guān)的問(wèn)題。
(1) MENS+MEMS封裝可靠性和測試
(2) 封裝可靠性
3. 失效分析
失效模式與影響分析（FMEA）是嚴格評估存在于器件制造、測試和生命周期中潛在問(wèn)題的有效方法。本節課程從詳細講解FMEA方法學(xué)開(kāi)始，對于任何想要開(kāi)發(fā)新器件的工程師來(lái)說(shuō)，它是非常有用的，并且它告訴我們一個(gè)在制造前的關(guān)鍵評估，能以安全的成本和時(shí)間，提高最終產(chǎn)品的可靠性。當產(chǎn)品失效時(shí)，需要進(jìn)行失效分析，在第二部分中，通過(guò)詳細討論可用于微電子失效分析的多種失效分析技術(shù)，已經(jīng)講解了這部分內容。同時(shí)將討論一系列基于電氣、光學(xué)、電子束、聲學(xué)、X射線(xiàn)和磁學(xué)原理的工具，并展示這些技術(shù)的原理和示例。
(1) 失效模式與影響分析
(2) 失效分析和技術(shù)
七、授課專(zhuān)家簡(jiǎn)介
Ingrid De Wolf 英格麗•德沃
IMEC首席科學(xué)家，IEEE高級會(huì )員，比利時(shí)魯汶大學(xué)教授
Ingrid De Wolf在比利時(shí)魯汶大學(xué)獲得博士學(xué)位。從 1999 到 2014 年，她是IMEC REMO團隊帶頭人，主要研究可靠性、3D技術(shù)測試和建模、互連、MEMS和封裝，并參與了IMEC內部的多個(gè)重要項目 (3D、互連、光學(xué)IO、氮化鎵、光刻、PV、MEMS、STT-MRAM等)。她獨著(zhù)或合著(zhù)有 14篇書(shū)籍章節，并發(fā)表了 350 余篇出版物，其中至少30篇是受邀出版。她還獲得了10項專(zhuān)利。
她多次在大會(huì )中獲得最佳論文獎（ESSDERC、ESREF、ISTFA、EOS/ESD symposium、IEDM），同時(shí)數次擔任會(huì )議主席和技術(shù)委員會(huì )成員，并且是ESREF指導委員會(huì )成員。她還擔任了許多高質(zhì)量期刊的審稿人。她的web-of-science的h指數的為26，引用文章(不包括自引文)超過(guò) 2600篇。她在谷歌學(xué)術(shù)搜索的h指數為 35，引文達5320篇。她任教課程有非破壞性測試、MEMS可靠性和失效分析、表征技術(shù)和FMEA。作為一名教授，她指導過(guò)超過(guò)20篇的學(xué)生論文、超過(guò)20篇訪(fǎng)問(wèn)學(xué)生論文、擔任超過(guò)40篇外部博士論文的陪審員，并指導超過(guò)15篇的博士生論文。

zhyu101

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