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Stratix 10 DRAM SiP器件在單個(gè)封裝中高效的集成了FPGA和寬帶存儲器管芯，突破了帶寬瓶頸 Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天公開(kāi)業(yè)界第一款異構系統級封裝(SiP，System-in-Package)器件，集成了來(lái)自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類(lèi)器件，其特殊的體系結構設計滿(mǎn)足了高性能系統對存儲器帶寬最嚴格的要求。 數據中心、廣播、固網(wǎng)和高性能計算等系統要處理的數據量不斷攀升，需要的帶寬非常高。相對于目前的分立DRAM解決方案，Stratix 10 DRAM SiP的存儲器帶寬提高了10倍。 Altera是將這種突破性的3D堆疊存儲器技術(shù)和FPGA集成在一起的第一家公司。Stratix 10 DRAM SiP支持用戶(hù)以高功效的方式定制其工作負載，獲得最大存儲器帶寬。Altera與數十家客戶(hù)積極合作，在其下一代高端系統中集成了這些DRAM SiP產(chǎn)品。 Altera的異構SiP產(chǎn)品是使用Intel的嵌入式多管芯互聯(lián)橋接(EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技術(shù)來(lái)實(shí)現的。EMIB技術(shù)采用高性能、高密度硅片短橋接在單個(gè)封裝中將多個(gè)管芯連接起來(lái)。EMIB技術(shù)的管芯之間走線(xiàn)非常短，支持Altera以高性?xún)r(jià)比方式構建異構SiP器件，與基于中介層的解決方案相比，性能更好，吞吐量更大，而功耗更低。 Altera企業(yè)戰略和營(yíng)銷(xiāo)資深副總裁Danny Biran評論說(shuō)：“我們很多客戶(hù)在系統中實(shí)現需要大量計算的任務(wù)時(shí)，面臨最大的一個(gè)難題是怎樣支持越來(lái)越高的存儲器帶寬需求，這些系統包括機器學(xué)習、大數據分析、圖像識別、工作負載加速和8K視頻處理等。Altera在單個(gè)封裝中同時(shí)實(shí)現了業(yè)界性能最好的FPGA與寬帶存儲器，在滿(mǎn)足這些系統需求方面有自己的優(yōu)勢。還沒(méi)有其他可編程解決方案在性能、功效和存儲器帶寬上達到Stratix 10 DRAM SiP的水平�！� Altera的異構SiP策略是在單個(gè)封裝中集成單片FPGA和先進(jìn)的組件，例如，存儲器、處理器、模擬、光和各類(lèi)硬核協(xié)議等。Altera高度集成的SiP產(chǎn)品將滿(mǎn)足通信、高性能計算、廣播和軍事領(lǐng)域高端應用最苛刻的性能和存儲器帶寬需求。www.altera.com/stratix10上的白皮書(shū)詳細介紹了Altera的異構SiP策略。 在極小的外形封裝中，SK Hynix的寬帶存儲器不但帶寬非常高，而且功耗低于競爭存儲器解決方案。寬帶存儲器(HBM2，High-Bandwidth Memory)縱向堆疊了DRAM管芯，使用直通硅片過(guò)孔(TSV，through-silicon vias)和微焊球將其連接起來(lái)。在異構SiP中集成HBM2，這種實(shí)現方式使得Altera能夠將DRAM存儲器盡可能靠近FPGA管芯進(jìn)行封裝，從而縮短了走線(xiàn)長(cháng)度，以最低功耗實(shí)現最大存儲器帶寬。 高性能應用推動(dòng)了業(yè)界對HBM2 DRAM技術(shù)的需求。SK Hynix美國技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Kevin Widmer說(shuō)：“達到每秒256GB帶寬，每比特功耗降低66%，HBM2開(kāi)辟了新應用領(lǐng)域，這在以前是不可想象的。在單個(gè)系統級封裝中集成高性能FPGA和HBM2，為高能效、寬帶計算功能樹(shù)立了重大的里程碑�！� 供貨信息 客戶(hù)現在可以使用快速前向編譯性能評估工具啟動(dòng)其Stratix 10設計。Altera將于2016年開(kāi)始發(fā)售Stratix 10 FPGA和SoC，于2017年開(kāi)始發(fā)售Stratix 10 DRAM SiP產(chǎn)品。www.altera.com/technology上更詳細的介紹了Altera的Stratix 10 DRAM SiP。關(guān)于A(yíng)ltera的Stratix 10 DRAM SiP產(chǎn)品的詳細信息，請聯(lián)系您當地的Altera銷(xiāo)售代表。 |
