12位高速ADC存儲電路設計與實(shí)現

發(fā)布時(shí)間:2015-11-30 14:03    發(fā)布者:designapp
關(guān)鍵詞: ADC , FIFO
  1 AD9225的結構
  AD9225是ADI公司生產(chǎn)的單片、單電源供電、12位精度、25Msps高速模數轉換器,片內集成高性能的采樣保持放大器和參考電壓源。AD9225采用帶有誤差校正邏輯的四級差分流水結構,以保證在25Msps采樣率下獲得精確的12位數據。除了最后一級,每一級都有一個(gè)低分辨率的閃速A/D與一個(gè)殘差放大器(MDAC)相連。此放大器用來(lái)放大重建DAC的輸出和下一級閃速A/D的輸入差,每一級的最后一位作為冗余位,以校驗數字誤差,其結構如圖1所示。
  


  圖1 AD9225結構圖
  2 AD9225的輸入和輸出
  (1) 時(shí)鐘輸入
  AD9225采用單一的時(shí)鐘信號來(lái)控制內部所有的轉換,A/D采樣是在時(shí)鐘的上升沿完成。在25Msps的轉換速率下,采樣時(shí)鐘的占空比應保持在45%~55%之間;隨著(zhù)轉換速率的降低,占空比也可以隨之降低。在低電平期間,輸入SHA處于采樣狀態(tài);高電平期間,輸入SHA處于保持狀態(tài)。圖2為其時(shí)序圖。圖2中:
  


  圖2 AD9225時(shí)序圖
  tch——高電平持續時(shí)間,最小值為18 ns;
  tcl——低電平持續時(shí)間,最小值為18 ns;
  tod——數據延遲時(shí)間,最小值為13 ns。
  從時(shí)序圖可以看出:轉換器每個(gè)時(shí)鐘周期(上升沿)捕獲一個(gè)采樣值,三個(gè)周期以后才可以輸出轉換結果。這是由于A(yíng)D9225采用的四級流水結構,雖然可以獲得較高的分辨率,但卻是以犧牲流水延遲為代價(jià)的。
  (2) 模擬輸入AD9225的模擬輸入引腳是VINA、VINB,其絕對輸入電壓范圍由電源電壓決定:
  


  其中, AVSS正常情況下為0 V,AVDD正常情況下為+5 V。
  AD9225有高度靈活的輸入結構,可以方便地和單端或差分輸入信號進(jìn)行連接。采用單端輸入時(shí),VINA可通過(guò)直流或交流方式與輸入信號耦合,VINB要偏置到合適的電壓;采用差分輸入時(shí),VINA和VINB要由輸入信號同時(shí)驅動(dòng)。
  (3) 數字輸出
  AD9225 采用直接二進(jìn)制碼輸出12位的轉換數據,并有一位溢出指示位(OTR),連同最高有效位可以用來(lái)確定數據是否溢出。圖3為溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖。
  


  圖3 溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖
  3 AD9225參考電壓和量程的選用
  參考電壓VREF決定了AD9225的量程,即
  滿(mǎn)刻度量程= 2×VREF
  VREF的值由SENSE引腳確定。如果SENSE與AVSS 相連,VREF是2.0 V,量程是0~4 V;如果SENSE與VREF直接相連, VREF是1.0 V,量程是0~2 V;如果SENSE與VREF通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò )相連,則VREF可以是1.0~2.0 V之間的任意值,量程是0~2VREF;如果SENSE與AVDD 相連,表示禁用內部參考源,即VREF由外部參考電壓源驅動(dòng)。內部電路用到的參考電壓是出現在CAPT和CAPB端。表1是參考電壓和輸入量程的總結。
  表1 參考電壓和輸入量程
  


  4 AD9225的存儲方案設計
  在高速數據采集電路的實(shí)現中,有兩個(gè)關(guān)鍵的問(wèn)題:一是模擬信號的高速轉換;二是變換后數據的存儲及提取。AD9225的采樣速度可達25Msps,完全可以滿(mǎn)足大多數數據采集系統的要求,故首要解決的關(guān)鍵問(wèn)題是與存儲器的配合問(wèn)題。 在數據采集電路中, 有以下幾種存儲方案可供選擇。
  (1)分時(shí)存儲方案
  分時(shí)存儲方案的原理是將高速采集到的數據進(jìn)行分時(shí)處理, 通過(guò)高速鎖存器按時(shí)序地分配給N個(gè)存儲器。雖然電路中增加了SRAM的片數,但使存儲深度增加,用低價(jià)格的SRAM構成高速數據存儲電路,獲得較高的(單位速度×單位存儲深度)/價(jià)格比。但由于電路單數據口的特點(diǎn),不利于數據的實(shí)時(shí)處理,并且為使數據被鎖存后留有足夠的時(shí)間讓存儲器完成數據的存儲,需要產(chǎn)生特殊的寫(xiě)信號線(xiàn) 。
  (2)雙端口存儲方案
  雙端口存儲器的特點(diǎn)是,在同一個(gè)芯片里,同一個(gè)存儲單元具有相同的兩套尋址機構和輸入輸出機構,可以通過(guò)兩個(gè)端口對芯片中的任何一個(gè)地址作非同步的讀和寫(xiě)操作,讀寫(xiě)時(shí)間最快達到十幾ns。當兩個(gè)端口同時(shí)(5 ns以?xún)?)對芯片中同一個(gè)存儲單元尋址時(shí), 芯片中有一個(gè)協(xié)調電路將參與協(xié)調。雙端口存儲器方案適用于小存儲深度、數據實(shí)時(shí)處理的場(chǎng)合。由于雙端口存儲器本身具備了兩套尋址系統,在電路的設計時(shí),可以免去在數據存儲和讀取時(shí)對地址時(shí)鐘信號的切換問(wèn)題的考慮,使數據變得簡(jiǎn)單和快捷。
  (3)先進(jìn)先出存儲方案
  先進(jìn)先出存儲器的同一個(gè)存儲單元配備有兩個(gè)口:一個(gè)是輸入口,只負責數據的寫(xiě)入;另一個(gè)是輸出口,只負責數據的輸出。先進(jìn)先出(FIFO)存儲器方案適用于小存儲深度,數據需實(shí)時(shí)處理的場(chǎng)合。
                               
               
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