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為需要采取特殊封裝的非易失性存儲器的關(guān)鍵任務(wù)應用帶來(lái)更大的靈活性 賽普拉斯半導體公司宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機存取存儲器（(NVRAM）產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM（F-RAM）和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)，可在斷電時(shí)為重要數據提供可靠保護。很多關(guān)鍵任務(wù)應用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨特優(yōu)勢之外，還需要能夠實(shí)現小巧、獨特封裝選項的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)：http://www.cypress.com/nonvolatile。 賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內能效最高的NVRAM技術(shù)，具有近乎無(wú)限的100萬(wàn)億次讀寫(xiě)耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場(chǎng)導致的數據損壞，因此可為醫療、航天和國防應用提供軟錯誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業(yè)內速度最快的NVRAM技術(shù)，存取時(shí)間低至20 ns。它具有非易失性數據保留功能，而且不需要額外的電池，同時(shí)提供無(wú)限的耐久性。 賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級主管Sonal Chandrasekharan表示：“為NVRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷(xiāo)售進(jìn)一步滿(mǎn)足了客戶(hù)的廣泛需求，客戶(hù)現在可以在滿(mǎn)足具體應用的封裝規格的同時(shí)，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優(yōu)勢�！� 關(guān)于賽普拉斯的F-RAM 賽普拉斯提供豐富的F-RAM產(chǎn)品線(xiàn)，容量涵蓋4Kb至4Mb，電壓范圍是2.0至5.5伏。賽普拉斯的F-RAM具有近乎無(wú)限的100萬(wàn)億次讀寫(xiě)壽命，因而理想適合于寫(xiě)操作密集的應用。F-RAM是業(yè)界能效最高的非易失性RAM解決方案；F-RAM單元具有與生俱來(lái)的低功耗特點(diǎn)，無(wú)需充電泵即可工作。賽普拉斯的F-RAM對于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存儲器的應用來(lái)說(shuō)，是非常理想的選擇。這些應用包括汽車(chē)、工業(yè)、計算、網(wǎng)絡(luò )、智能儀表以及多功能打印機。 關(guān)于賽普拉斯的nvSRAM 賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線(xiàn)生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM（BBSRAM）產(chǎn)品，提供快速非易失性數據存儲能力。當發(fā)生斷電的時(shí)候，數據可自動(dòng)從SRAM傳輸到非易失性單元中。加電之后，數據可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在網(wǎng)絡(luò )、工業(yè)、計算和RAID應用中，nvSRAM提供了高速數據傳輸性能，并在斷電的時(shí)候，無(wú)需電池即可保證數據的完整性。 供貨情況 即日起，賽普拉斯可為特定客戶(hù)的256Kb-4Mb容量F-RAM和1Mb-16Mb容量nvSRAM提供晶圓產(chǎn)品支持。有關(guān)晶圓支持的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：www.cypress.com/products/f-ram-and-nvsram-wafer-and-die-support。賽普拉斯也可為感興趣的客戶(hù)提供針對其它非易失性RAM產(chǎn)品的晶圓支持。如有關(guān)于晶圓支持的問(wèn)題，您可以向此郵箱發(fā)送郵件提問(wèn)：nvramwafersupport@cypress.com。 |
