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nvSRAM使用傳統的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲。由于溫度和過(guò)多的寫(xiě)入周期會(huì )導致數據損耗，因此數據可能會(huì )泄漏。 Everspin代理英尚微提供的MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。nvSRAM是通過(guò)將標準的6晶體管SRAM與每個(gè)單元中的非易失性EEPROM存儲元件相結合來(lái)構建的。單元的總復雜性為12個(gè)晶體管。Everspin MRAM是使用一個(gè)簡(jiǎn)單得多的1晶體管、1磁性隧道結單元構建的。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元提高了制造效率和可靠性。 nvSRAM的可靠性不僅取決于存儲器芯片，還取決于外部VCAP電容器的質(zhì)量。必須仔細選擇電容器，以確�？煽康墓β逝判�。 MRAM將磁性隧道結技術(shù)用于非易失性存儲器。數據在高溫下不會(huì )泄漏，并且在該技術(shù)中沒(méi)有限制讀取、寫(xiě)入或電源循環(huán)次數的磨損機制。125℃條件下的數據保留期優(yōu)于20年。 使用MRAM的每次寫(xiě)入都是即時(shí)非易失性的，至少持續20年。不存在從易失性存儲器單元到非易失性存儲單元的數據傳輸，也不存在外部電容器或備用電池。消除了外部組件、高度可靠的數據保留和35ns SRAM兼容的讀/寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間，使Everspin MRAM成為在不影響系統性能的情況下取代nvSRAM的可行候選者。 |
