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Everspin xSPI STT‐MRAM在代碼和數據整合的應用場(chǎng)景中，應用程序代碼和少量數據存儲在同一個(gè)內存芯片中。這有時(shí)需要滿(mǎn)足嚴格的成本和空間(如物理板空間)要求。代碼在啟動(dòng)時(shí)加載到RAM中。文件系統可用于存儲數據，也可能用于存儲固件，但經(jīng)常會(huì )使用原始訪(fǎng)問(wèn)。由于NORflash成本低、尺寸小，因此通常用于此目的。 對于只讀或以讀取為中心的工作負載，這種設計非常合適。但是，由于寫(xiě)入性能差和寫(xiě)入能耗高，NOR閃存通常不適合中等寫(xiě)入工作負載。NAND閃存也可用于提高寫(xiě)入性能，但由于壞塊和軟錯誤管理，它會(huì )帶來(lái)額外的復雜性。另一個(gè)問(wèn)題是耐力。雖然大多數應用永遠不會(huì )接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但保持力會(huì )隨著(zhù)單元磨損而顯著(zhù)下降。根據未磨損設備的典型10年規格，10K循環(huán)后，保留時(shí)間可能會(huì )降至僅1年。如果固件映像以磨損塊結束(如果使用了適當的磨損均衡，這可能會(huì )發(fā)生)，這可能會(huì )成為一個(gè)問(wèn)題。 Everspin xSPI STT‐MRAM封裝8DFN，容量高達64Mb，非常適合這種特殊的使用情形。它具有極高的寫(xiě)入速度、低寫(xiě)入能耗和幾乎無(wú)限的寫(xiě)入耐久性。截至目前，NOR flash仍然比MRAM有容量?jì)?yōu)勢，但大型NOR芯片并不便宜，沒(méi)有跡象表明MRAM無(wú)法擴大規模和成本的綜合水平。樣品聯(lián)系代理商英尚微電子。 |
