高耐用性工業(yè)存儲芯片解決方案

英尚微電子

    英尚提供的xSPI串行接口通過(guò)8個(gè)時(shí)鐘頻率為200MHz的I/O信號提供每秒400兆字節的完全讀寫(xiě)帶寬。提供了性能、耐用性和保持力的最高組合，現在提供4到64兆位的密度，并為4到16兆位產(chǎn)品提供了新的更小的封裝。新的5mmx 6mm DFN封裝比現有產(chǎn)品節省37%的面積。除了新的容量和更小的封裝，可以取代替代解決方案，如SRAM、BBSRAM、FRAM、NVSRAM和NOR閃存器件。它非常適合數據持久性和完整性、低功耗、低延遲和安全性至關(guān)重要的電子系統，例如工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò )/企業(yè)基礎設施、過(guò)程自動(dòng)化和控制、航空/航空電子、醫療、游戲和FPGA配置。

    在快速增長(cháng)的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統市場(chǎng)中，客戶(hù)比以往任何時(shí)候都更需要在任何情況下保護關(guān)鍵系統數據，尤其是在斷電的情況下，而不用擔心磨損或數據完整性問(wèn)題�，F在不僅具有類(lèi)似SRAM的低延遲性能和無(wú)需電源即可保持內存的能力，還具有擴展的溫度范圍以滿(mǎn)足不同的環(huán)境需求。通過(guò)添加4Mb容量選項，MRAM設備提供了更多選項來(lái)選擇最佳密度解決方案。它們繼續提供極高的耐用性，保持與其他存儲器類(lèi)型的兼容性，并且易于集成到客戶(hù)的設計中。