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來(lái)源：DIGITIMES 隨著(zhù)汽車(chē)、太空、醫學(xué)與工業(yè)等產(chǎn)業(yè)開(kāi)始采用復雜芯片，加上電路板或系統單芯片（SoC）為了符合市場(chǎng)需求而加入更多功能，讓芯片熱效應已成為半導體與系統設計時(shí)的一大問(wèn)題。 據Semiconductor Engineering報導，DfR Solutions資深工程師指出，隨著(zhù)芯片與電路板越來(lái)越小，讓熱問(wèn)題顯得更加嚴重。Ansys副總則指出，熱會(huì )帶來(lái)一堆無(wú)法預知的變化，讓業(yè)者必須從 芯片封裝或系統層次評估熱沖擊的程度，FinFET制程中必須處理局部過(guò)熱問(wèn)題，而且進(jìn)入10或7納米后程度更嚴重。 早在2001年，時(shí)任英特爾（Intel）技術(shù)長(cháng)的Pat Gelsinger便曾預測未來(lái)10年內，芯片上能源密度提高是必須設法解決的問(wèn)題。在高密度封裝的SoC中，并非所有的廢熱都能散出。 明導國際（Mentor Graphics）行銷(xiāo)經(jīng)理指出，以車(chē)載娛樂(lè )系統為例，儀表板會(huì )產(chǎn)生熱且不易散出，便有可能讓絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）變得不穩定，因此熱管理必須從更接近矽的角度加以評估。 至于預先評估何處以及何時(shí)會(huì )出現熱問(wèn)題，便必須倚賴(lài)各種工具、經(jīng)驗與運氣達成。而且隨著(zhù)晶粒上溫度不平均，欲計算熱對穩定性造成影響為何也越加困難，目前所有EDA廠(chǎng)商已聯(lián)合企圖解決該問(wèn)題。 Synopsys工程師指出，擁有極準確且資訊充足的模型顯得更加重要，但也帶給電子設計自動(dòng)化（EDA）廠(chǎng)商一定壓力。益華電腦（Cadence）表示，傳統上分析工具大多針對封裝溫度，但10納米FinFET后，考量的地方必須從電路板轉移至電晶體上。 Sonics技術(shù)長(cháng)也指出，目前漏電流問(wèn)題依舊存在，而且半導體物理也未改變。外界雖集中在利用時(shí)脈來(lái)控制功耗，但事實(shí)上時(shí)脈樹(shù)（clock tree）仍有許多功耗產(chǎn)生。另一項必須面對的挑戰則是動(dòng)態(tài)電源管理。 Wingard 則認為解決之道是提升時(shí)脈控制效率，另外，先進(jìn)封裝或是個(gè)別晶粒封裝等也是可行方式之一。Tessera總裁指出，其牽涉主要問(wèn)題便是熱耗散，也就是晶粒的厚度。因為減少厚度可降低電阻讓更多熱散出。該公司已開(kāi)始開(kāi)發(fā)以不同方式堆疊DRAM，讓DRAM一部份可以開(kāi)口讓更多冷氣進(jìn)入。 另外，Kilopass等公司也在開(kāi)發(fā)可抗熱的一次性可程式（OTP）記憶體，來(lái)取代其他種類(lèi)非揮發(fā)記憶體。該公司副總指出，內嵌快閃記憶體可支援到攝氏85度，但OTP可支援到125度。 目前業(yè)界也開(kāi)始研究如何一開(kāi)始就解決熱效應問(wèn)題。明導國際指出，熱矽穿孔（TSV）是研究方向之一，另外，在晶粒下方蝕刻液流道（liquid channels）與引進(jìn)新的熱介面材料也是研究對象。 iROC Technologies總裁指出，高溫與高伏特將會(huì )提高閂鎖效應（latch-up）風(fēng)險，造成穩定度嚴重的問(wèn)題，另一個(gè)溫度造成的影響則是實(shí)際的熱中 子（thermal neutron）通量。DfR Solutions認為，熱也是造成快閃記憶體逐漸出現位元滑動(dòng)（bit slip）與資料保存問(wèn)題的原因。 如今隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）發(fā)展后，上述問(wèn)題將更加復雜，熱問(wèn)題已逐漸成為設計必考量的一部分，而且與功耗、架構、制程與封裝都密切相關(guān)。 |
