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新款100V MOSFET問(wèn)世，Fairchild極具開(kāi)創(chuàng )性的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品組合又添新成員 Fairchild在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動(dòng)和其他應用極大地提升效率、降低電壓振鈴并減弱電磁干擾（EMI）。 
近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench產(chǎn)品將會(huì )讓我們繼續處于MOSFET技術(shù)研發(fā)的最前沿，領(lǐng)先于競爭對手，并滿(mǎn)足客戶(hù)嚴苛的要求。 Fairchild副總裁兼iFET業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Suman Narayan表示：“相對于此前產(chǎn)品，我們的新型100V N溝道FET已取得巨大進(jìn)步。從能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列產(chǎn)品在各個(gè)性能類(lèi)別的表現幾乎都優(yōu)于競爭對手，堪稱(chēng)行業(yè)領(lǐng)先�！�
新型FDMS86181的主要優(yōu)點(diǎn)分別為：Rdson減少了40%，從而降低了導通損耗；最大程度降低柵極電荷（Qg），從而減少了開(kāi)關(guān)損耗。FDMS86181極低的反向恢復電荷（Qrr）幾乎消除了產(chǎn)生振鈴的電壓過(guò)沖隱患，這就允許在產(chǎn)品設計時(shí)少用或者不用緩沖器并降低電磁干擾（EMI）。 利用FDMS86181的這一獨特優(yōu)勢，設計人員不但減小了產(chǎn)品的尺寸，同時(shí)還降低了物料（BOM）成本。 請訪(fǎng)問(wèn)fairchildsemi.com.cn/powertrench，獲取樣品以及關(guān)于新型100V PowerTrench MOSFET的更多信息。 |
