Diodes公司提供ZXGD3111N7 有源OR’ing MOSFET控制器，瞄準使用冗余電源系統以實(shí)現高可靠性的電信、數據中心和服務(wù)器應用，提升最大200V的漏極電壓性能。相比先前發(fā)布的40V ZXGD3108N8，該最新器件增加了VDRAIN ，能夠在通過(guò)OR方式連結兩個(gè)或更多電源的48V共軌系統提供冗余功能以滿(mǎn)足其需求。
除了達到其它競爭產(chǎn)品兩倍的200V額定電壓之外，ZXGD3111N7還具有低關(guān)斷閾值電壓，緊密容差為-5mV至-1mV，從而在使用低RDS(ON) MOSFET器件時(shí)提升了輕負載條件下的穩定性，使得這款控制器成為同級領(lǐng)先的解決方案，能夠在整個(gè)負載范圍提供最高效率和可靠性。 ZXGD3111N7經(jīng)設計與FET器件共用，創(chuàng )建理想的二極管以替代通常用于共軌設計之阻隔二極管，其5A散熱電流能力允許在并行OR’ing MOSFET中的柵極快速放電，其<600ns的快速關(guān)斷規范可以避免共軌中的反向電流和任何電壓降。這款器件具有業(yè)界領(lǐng)先的<50mW待機功耗，靜態(tài)電源電流<1mA。 如要了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)站www.diodes.com |
