Diodes公司推出的ZXGD3112N7有源OR'ing MOSFET控制器，擴展了對具有高達±400V的軌電壓的冗余電源系統的支持能力；該器件創(chuàng )建于在以前的40V和200V器件中所采用的成功設計。低關(guān)斷閾值電壓使RDS(on)非常低的MOSFET能作為理想二極管工作，從而可提供高效率的電源系統，非常適合于電信系統、數據中心和服務(wù)器（其中需要將兩個(gè)或更多的電源線(xiàn)或（OR’ing）起來(lái)一起提供冗余）中的目標應用。
鑒于采用更高的系統電壓來(lái)提高配電效率的趨勢，ZXGD3112N7還有助于提高系統可靠性，其原因是與肖特基阻塞二極管的替代方案相比，將其與低RDS(on)的MOSFET結合使用，可實(shí)現在更低溫度下工作。除了可提高系統效率之外，其<5mV的關(guān)斷閾值電壓，可提高輕負載的穩定性，而可在<600ns時(shí)間內關(guān)斷的能力，可避免反向電流流動(dòng)，并防止公共軌上的電壓降。5A的灌電流可確保并聯(lián)MOSFET的柵極的快速放電。 ZXGD3112N7具有一流的關(guān)斷閾值電壓和400V的額定電壓（其值是競爭對手的OR’ing控制器的四倍），在整個(gè)負載范圍內，效率、可靠性和穩定性都非常出色。 ZXGD3112N7采用SO-7封裝供貨，1000片批量售價(jià)為1.50美元/片。 更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.diodes.com。 |
