富士通打造碳納米管內存:比閃存快1000倍

發(fā)布時(shí)間:2016-9-5 10:45    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: Mantero , 碳納米管 , NRAM
日本富士通宣布,與美國Mantero公司達成合作協(xié)議,將共同推進(jìn)碳納米管內存(NRAM)的研發(fā)、制造。這種全新內存號稱(chēng)速度是普通閃存的1000倍。

碳納米管(又名富勒烯/簡(jiǎn)稱(chēng)CNT)是一種很獨特的材料,直徑只有人類(lèi)頭發(fā)的5萬(wàn)分之一,能導熱導電,硬度是鋼鐵的50倍,和它沾邊的東西幾乎都是高級黑科技,包括很多號稱(chēng)有突破性的新電池。

碳納米管還能通過(guò)硅基沉底實(shí)現0、1的變化,所以可以做成存儲芯片,而且是非易失性的,斷電也不會(huì )丟數據。

除了速度更快,NRAM內存的功耗也更低,可靠性、耐用性都更強,關(guān)鍵是成本更低。

富士通計劃將Mantero公司的NRAM內存整合到自家芯片中,預計2018年底推出商用商品,不過(guò)制造工藝55nm,單顆容量也只有256Gb(32MB),并不適合大規模普及。

其實(shí),Nantero 2006年開(kāi)始就說(shuō)要投產(chǎn)碳納米管內存,但一直沒(méi)什么進(jìn)展,希望這次能和富士通做出一些實(shí)際效果,推動(dòng)這一技術(shù)的深入發(fā)展。





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