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對比別的存儲器，納米碳管運行內存(NRAM)是一個(gè)近些年出現的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可擴展性和對閃存的超強耐久性的潛力。它比基本上全部新起存儲系統（PCM，MRAM和ReRAM）都更貼近通用性存儲器。他們一般用于更換閃存芯片，因而NRAM在理論上既能夠更換DRAM，還可以更換閃存芯片。 NRAM原理大揭秘 Nantero已經(jīng)花費了將近20年的時(shí)間來(lái)研究NRAM，該技術(shù)基于排列在交叉點(diǎn)電極之間的薄層中的無(wú)規組織的碳納米管的漿料。當施加電壓時(shí)，CNT被拉到一起，接觸點(diǎn)數量的增加減少了電極之間的電阻路徑。這種連接是由范德華力在原子級上保持的。為了復位存儲單元，電壓脈沖會(huì )引起熱振動(dòng)來(lái)斷開(kāi)這些連接。 所得的存儲器在低能量下提供了20皮秒的切換速度，以及5ns的實(shí)際寫(xiě)入速度，并具有10 ^ 11個(gè)周期的耐久性。這保證了基于CNT的NRAM的性能，并且在物理幾何尺寸方面具有更好的可擴展性，從而成為替代DRAM和NAND FLASH的通用存儲器。 一個(gè)相對較新的技術(shù)是在可隨意切換的CNT的隨機組織“墊”上增加一層對齊的CNT。這些用于保護開(kāi)關(guān)納米管的下層免于金屬從上方濺射的金屬遷移。 |
