|
提供業(yè)界最低讀取電流的內存，適用于穿戴式裝置與助聽(tīng)器 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導體與松下電器半導體合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。 ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結合于一身，同時(shí)具備更低的功耗及更快的讀寫(xiě)速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來(lái)預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20，數據擦寫(xiě)上限是后者的10倍。 此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽(tīng)器等醫療設備，例如助聽(tīng)器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現。 截至目前為止，富士通通過(guò)提供具有耐讀寫(xiě)及低功耗特性的FRAM（鐵電隨機存儲器），以滿(mǎn)足客戶(hù)對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產(chǎn)品線(xiàn)后，富士通可進(jìn)一步擴充產(chǎn)品系列，以滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化的需求。 MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內工作，還能通過(guò)SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率，并在讀取時(shí)僅需極低的工作電流（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。此外，該產(chǎn)品擁有業(yè)界非易失性?xún)却孀畹偷淖x取功耗。 此全新產(chǎn)品采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引腳與EEPROM等非易失性?xún)却娈a(chǎn)品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。 富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽(tīng)器等醫療設備，以及量表與傳感器等物聯(lián)網(wǎng)設備。 富士通預期未來(lái)持續提供各種產(chǎn)品與解決方案，以協(xié)助客戶(hù)提升其應用的價(jià)值與便利性。 產(chǎn)品規格 組件料號：MB85AS4MT 內存密度（組態(tài)）：4 Mbit（512K字符x 8位） 界面：SPI（Serial peripheral interface） 工作電壓：1.65 – 3.6V 低功耗：讀入工作電流0.2mA（于5MHz） 寫(xiě)入工作電流1.3mA（寫(xiě)入周期間） 待機電流10µA 休眠電流2µA 保證寫(xiě)入周期：120萬(wàn)次 保證讀取周期：無(wú)限 寫(xiě)入周期（256 位/頁(yè)）：16毫秒（100%數據倒置） 數據保留：10年（最高攝氏85度） 封裝：209mil 8-pin SOP |
