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功率級在PowerPAK MLP55-32L封裝里集成了電流和溫度監測器，適用于電信設備和數據中心服務(wù)器 Vishay為了在高性能電信設備和數據中心服務(wù)器中實(shí)時(shí)地對處理器和存儲器的功耗進(jìn)行監控，推出兩個(gè)新的60A VRPower智能功率級---SiC645和SiC645A。功率級集成了電流和溫度監測器，可用于多相DC/DC系統。Vishay Siliconix SiC645和SiC645A把功率MOSFET、先進(jìn)的驅動(dòng)IC和1個(gè)啟動(dòng)FET組合在熱增強的薄外形5mm x 5mm x 0.66mm PowerPAK MLP55-32L/QFN封裝里，有效簡(jiǎn)化設計，精度高于類(lèi)似的標準DrMOS產(chǎn)品，同時(shí)占位面積比相近的對標器件小16%。 
使用電感器DCR檢測來(lái)監控功耗，需要使用類(lèi)似熱敏電阻這樣的外部元器件來(lái)進(jìn)行溫度補償。與前面這種方案不同的是，SiC645和SiC645A利用低邊MOSFET的導通電阻RDS(ON)進(jìn)行檢測，分別用5mV/A和8mV/C信號準確地報出電流(IMON)和溫度(TMON)。這種檢流方法在很寬的負載范圍內都是準確的，而且在內部進(jìn)行溫度補償，省掉了外部電路，從而簡(jiǎn)化設計。另外，使用這些功率級就能去掉檢流引線(xiàn)，同時(shí)由于沒(méi)有了噪聲和外部濾波，系統響應速度很快。 功率級的精度滿(mǎn)足Intel嚴格的VR13和VR13.x電流監測精度要求，能夠更好地發(fā)揮服務(wù)器CPU的加速功能，在不增加成本的情況下為數據中心客戶(hù)提供更高的性能，優(yōu)點(diǎn)十分突出。專(zhuān)用的低邊FET控制pin腳使系統在輕載條件下也具有很好的效率。 器件的輸入范圍從4.5V到18V，適用于為服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò )和云計算的微處理器和存儲器供電的高頻、高效VRM和VRD，高性能圖形卡和游戲機里的GPU，以及通用多相負載點(diǎn)(POL)DC/DC轉換器。SiC645和SiC645A的封裝能夠實(shí)現雙面冷卻，低封裝寄生電阻和電感使開(kāi)關(guān)頻率能夠達到2MHz。 器件符合RoHS，無(wú)鹵素，故障保護功能包括高邊FET短路和過(guò)流保護、過(guò)熱保護、欠壓鎖定(UVLO)，有開(kāi)漏故障報告輸出。SiC645和SiC645A分別支持5V和3.3V PWM三電平輸入，兼容Intersil的ISL68/69xx和ISL958xx數字多相控制器。 智能功率級現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為十周。 |
