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節省空間的器件采用小型PowerPAIR 3x3S封裝，最大RDS(ON)導通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC Vishay推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT，可用來(lái)提高白色家電以及工業(yè)、醫療和通信應用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數（FOM）達到業(yè)界出色水平。 
SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET MOSFET內部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降壓轉換器的控制開(kāi)關(guān)，10 V時(shí)最大導通電阻為8.05 mΩ，4.5 V時(shí)為12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步開(kāi)關(guān)，10 V時(shí)導通電阻為8.41 mΩ，4.5 V時(shí)為13.30 mΩ。這些值比緊隨其后的競品低16 %。結合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低柵極電荷，導通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14 %，有助于提高快速開(kāi)關(guān)應用的效率。 日前發(fā)布的雙MOSFET比采用6 mm x 5 mm封裝的雙器件小65 %，是目前市場(chǎng)上體積最小的集成產(chǎn)品之一。除用于同步降壓，DC/DC轉換半橋功率級之外，新型器件還為設計師提供節省空間的解決方案，適用于真空吸塵器、無(wú)人機、電動(dòng)工具、家庭/辦公自動(dòng)化和非植入式醫療設備的電機控制，以及電信設備和服務(wù)器的無(wú)線(xiàn)充電器和開(kāi)關(guān)電源。 集成式MOSFET采用無(wú)導線(xiàn)內部結構，最大限度降低寄生電感實(shí)現高頻開(kāi)關(guān)，從而減小磁器件和最終設計的尺寸。其優(yōu)化的Qgd / Qgs比降低噪聲，進(jìn)一步增強器件的開(kāi)關(guān)特性。SiZ240DT經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。 新型雙MOSFET現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為12周。 |
