一個(gè)由歐、美兩地研究人員所組成的團隊,讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè),并為全球不斷增加的網(wǎng)絡(luò )信息流量獲得緩解之道。 該研究團隊成員分別來(lái)自瑞士ETH大學(xué)、比利時(shí)研究機構IMEC、美國Lehigh大學(xué),以及德國Karlsruhe大學(xué);他們成功制造出一種具備高度非線(xiàn)性特征、超高速的光波導(opticalwaveguide)架構。 由于在這類(lèi)組件中,光子信號不必再轉換成電子信號,因此被視為是達成全光學(xué)信號傳輸的關(guān)鍵組件。為了達成這個(gè)目標,研究人員采用SOH(silicon-organichybrid)方案結合標準 CMOS制程、深紫外光刻技術(shù),以及有機中子束沉積(organicmolecularbeamdeposition)技術(shù)。 這種仍在研發(fā)中的組件,是一個(gè)僅有4mm長(cháng)的微小SOH波導,但在1.55μm的電信窗 (telecommunicationswindow)中擁有105(Wkm)-1的創(chuàng )紀錄非線(xiàn)性系數 (nonlinearitycoefficient)。該芯片被研究人員視為SOH概念的例證,也是第一次可能確認該技術(shù)理論預測可達到的傳輸速度。 研究人員摻雜了速率分別為42.7Gbps的四道信號,完成一個(gè)多任務(wù)170.8Gbps信號;這是迄今所展示過(guò)、速度最快的硅光子光學(xué)信號處理。他們表示,該實(shí)驗證實(shí)了SOH波導技術(shù)應用于高頻寬電信信號全光學(xué)處理的可行性,并克服現有全光交換技術(shù)的瓶頸。 到目前為止,利用硅晶波導技術(shù)達成的數據傳輸速率,受限在40Gbps左右。而利用有機材料來(lái)填滿(mǎn)波導間的縫隙(slot),則是沉積制程的主要功能。該芯片電路是由Karlsruhe大學(xué)的研究人員所設計,并在IMEC的硅光子平臺上制造。 |