| NXP半導體的研究人員描述了一種他們稱(chēng)之為可論證、可升級的硅材料壓阻MEMS諧振器，并且有記錄可以工作在1.1GHz下。該小組設計出了靜電場(chǎng)激發(fā)硅諧振器的一種新穎的變頻方案，其中利用硅的壓阻效應來(lái)探測機械運動(dòng)，這是該項目組出席國際電子設備會(huì )議上透露的。 這種變頻方案可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方法實(shí)現，使這種諧振器具有在理論上不受幾何尺寸影像的低有效阻抗。從而可以實(shí)現振蕩器性能上沒(méi)有明顯下降的微型化、高頻MEMS振蕩器，小組表示。據稱(chēng)，相對于使用常見(jiàn)電容或者場(chǎng)效應管，振蕩有效阻抗會(huì )有數量級的減少。 “由千兆赫級的MEMS振蕩器帶來(lái)的集成芯片應用潛能展示了制造應用于無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域內微尺寸精度振蕩器和濾波器的非�？赡苄��！盢XP 半導體集團I&T研究部微系統技術(shù)部門(mén)主管Reinhout Woltjer說(shuō)。綜合了高品質(zhì)因子的微型千兆赫MEMS振蕩器，同樣可以為自己提供空前的潛在集中感應。 盡管千兆赫MEMS振蕩器已被論證，它們的極高阻抗要來(lái)源于他們的小尺寸。結果諧振時(shí)的信號強度幾乎不能被探測。力圖減小硅MEMS振蕩器阻抗的一些方法已經(jīng)被提出。它們包括減小變頻溝道寬度和變頻溝道的縱橫比，在變換溝道中填充高介電常數的電介質(zhì)材料，或者使用壓電材料來(lái)代替電容變頻。 不幸的是，所有這些方法也仍然導致在振蕩器尺寸大為減小下阻抗的提高，Woltjer說(shuō)，“此外，所有這些方法也增加了制造的復雜性同時(shí)制約了同標準CMOS的兼容性。" 在這種NXP器件中，振蕩器層通過(guò)氧化掩埋層采用反應離子刻蝕到1.5微米厚，n型硅基介質(zhì)層中。各向同性刻蝕氧化物掩埋層后露出振蕩器層。平面布線(xiàn)流程采用因子大約為4x。 IEDM上展出的振蕩器預期振蕩范圍為1874290hz到1094Mhz。 |
