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法國的市場(chǎng)研究機構Yole Development預期，明年MEMS設備產(chǎn)業(yè)表現將持平，不過(guò)在慣性MEMS組件、RF開(kāi)關(guān)、能量采集與微反射鏡(micromirrors)等方面仍有技術(shù)創(chuàng )新的空間。 在Yole Development針對全球MEMS設備與材料市場(chǎng)所做的最新報告中，預期MEMS量產(chǎn)工具產(chǎn)業(yè)在2009~2010年間的表現持平，不過(guò)業(yè)者的MEMS設備研發(fā)活動(dòng)仍將積極，以因應市場(chǎng)2011年的大幅成長(cháng)。預期到2012年，MEMS設備市場(chǎng)規�？蛇_到5億美元。 Yole指出，MEMS量產(chǎn)技術(shù)趨勢向來(lái)是“一種產(chǎn)品、一種制程、一種封裝”，不過(guò)現在歐洲的制造廠(chǎng)與研發(fā)機構，已紛紛推出標準化的MEMS量產(chǎn)制程模塊。 其中的領(lǐng)導廠(chǎng)商包括Silex，該公司的晶圓穿孔(through-wafer via)與晶圓級封裝(WLP)平臺，能提供客戶(hù)共享制程，已達到較高的良率與降低成本。另一家業(yè)者CEA-Leti也可提供標準化的8吋晶圓制程。 其它標準化MEMS制造技術(shù)還包括硅晶圓穿孔(TSV)、緊密接合(hermetic bonding)與硅薄膜(Si membrane)等。Yole表示，采用TSV技術(shù)進(jìn)行MEMS組件3D整合，在業(yè)界越來(lái)越常見(jiàn)，此趨勢也可望推動(dòng)深層蝕刻(DRIE)技術(shù)的成長(cháng)，并使蝕刻速度加快到100μ/ min。 至于MEMS材料部分，Yole預期該市場(chǎng)將在2012年達到4.7億美元規模。該機構指出，目前在大量應用的MEMS組件制造上，晶圓尺寸有從6吋轉向8吋的趨勢;較厚(0.2~0.6μ)的SOI則是用于犧牲層(sacrificial release)，此外在較高撓度(deflection)的微反射鏡或某些陀螺儀制造上，則有應用更厚BOX (大于5μ)的趨勢。 |
