增加采樣保持器的記憶電壓的取值范圍

發(fā)布時(shí)間:2009-7-31 21:21    發(fā)布者:賈延安
關(guān)鍵詞: 采樣保持器 , 電壓 , 記憶 , 取值范圍
采樣保持器應用于模數轉換器  之前;镜牟蓸颖3電路由兩個(gè)放大運算器(A1和A2)、一個(gè)開(kāi)關(guān)(S1)及一個(gè)電容器(C1)組成(圖1)。對于許多小功率放大運算器來(lái)說(shuō),輸入和輸出電壓的值在使用標準±15V電源時(shí)只能在±10V~±14V之間。如果能使這些設備采用更高的電壓,可以顯著(zhù)地提高模數轉換器的分辨率。



  可以通過(guò)使用可變電源提高放大器A1 和A2可實(shí)現的記憶電壓(參考文獻1和參考文獻2)。但是,這個(gè)方法對S1有更高的電壓要求。為了繼續采用起初的開(kāi)關(guān)范圍,必須添加兩個(gè)開(kāi)關(guān),并為開(kāi)關(guān) S1,S2和S3添加獨立的控制邏輯塊CL1和CL2(圖2)。該電路的兩個(gè)部分可以使用獨立的電源。就像在控制邏輯塊CL1和CL2上那樣,可以在放大器A1和A2上使用相同的可變電壓。當S1和S3關(guān)閉時(shí),S2是打開(kāi)的。反之亦然。



  由此產(chǎn)生的電路確保每個(gè)開(kāi)關(guān)的MOS晶體管連接到柵極和基板的電壓在要求的30V范圍內(圖3)。(可以從絕對電壓值的總和推出這個(gè)值:|V1|+|V2|和|V3|=|V4|)。電壓V1和-V2連接到放大器A1、控制邏輯塊CL1以及開(kāi)關(guān)S1和S2的晶體管的基板。電壓V3和-V4連接到放大器A2,控制邏輯塊CL2,以及開(kāi)關(guān)S3的晶體管的基板。



  采用電阻分壓器R5、R6、R7和R8創(chuàng )建V1和V2的變化電壓,這些電阻連接到30V和-30V的電源以及放大器跟隨器A1的輸出(圖3)。晶體管Q1和Q2創(chuàng )建放大器A1電源的變化電壓。電壓V1和V2也為控制邏輯塊和開(kāi)關(guān)S1和S2的晶體管的基板供電。CL1包含晶體管Q11、 Q12、Q15和Q16。它為開(kāi)關(guān)S1的柵極Q5和Q6創(chuàng )建一個(gè)控制信號,為開(kāi)關(guān)S2的柵極Q8和Q9創(chuàng )建一個(gè)返回信號。

  電阻分壓器 R9、R10、R11和R12與30V和-30V的電源相連,放大器跟隨器A2的輸出創(chuàng )建了變化電壓V3和V4。晶體管Q3和Q4創(chuàng )建了放大器A2的電源的變化電壓。電壓V3和V4也為控制邏輯塊CL2和開(kāi)關(guān)S3的晶體管的基板供電。CL2由晶體管Q13、Q14、Q17和Q18組成。它為開(kāi)關(guān)S3的柵極 Q7和Q10創(chuàng )建一個(gè)控制信號。CL1和CL2的晶體管Q5到Q10以及Q11到Q18分別是MOS邏輯晶體管的互補匹配對。
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leolilee 發(fā)表于 2010-6-10 18:08:59
在采樣電路中是很有必要的!
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