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IBIS(Input/OutputBufferInformationSpecification)模型是基于V/I曲線(xiàn)的對I/OBuffer快速準確建模的方法，其目的是提供一種集成電路制造商與仿真軟件供應商以及設計工程師之間相互交換電子元件仿真數據的標準方法。IBIS是一種行為模型，它不是從要仿真的元件的結構出發(fā)定義的，而是從元件的行為出發(fā)定義的。IBIS本身是一種標準的文本格式，它記錄驅動(dòng)器和接收器的不同參數，如驅動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間以及輸入負載等參數，但它不說(shuō)明這些記錄參數是如何使用的。
IBIS模型分為驅動(dòng)器模型和接收器模型，如下圖示：
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Pullup/pulldown：標準輸出緩沖器的上拉和下拉晶體管，用直流I/V數據表來(lái)描述它們的行為。
Powerclamp/gndclamp：靜電放電和鉗位二極管，用直流I/V數據表來(lái)描述它們的行為。
Ramp：表示輸出從一個(gè)邏輯狀態(tài)轉換到另一個(gè)邏輯狀態(tài)，用dV/dt來(lái)描述。
C_comp：硅晶圓電容，它是不包括封裝參數的總輸出電容。
R_pkg/L_pkg/C_pkg：封裝帶來(lái)的寄生電阻、電感和電容。
無(wú)論是驅動(dòng)器模型還是接收器模型都是由兩部分組成的：緩沖器結構模型（[model]section）和封裝因子（[component]&[pin]section）。
IBIS文件結構
IBIS文件包括了從行為上模擬一個(gè)器件的輸入、輸出和I/O緩沖器所需要的數據，它以ASCII的格式保存。IBIS文件的格式如下圖示：
IBIS文件主要由三部分構成：
1.文件頭描述：包括IBIS版本、文件名以及資料來(lái)源、修訂等信息。
2.元件描述：該部分包含從數據手冊中得到的元件引腳、封裝電特性等信息，用關(guān)鍵字[package]和[pin]說(shuō)明。
3.模型描述：該部分描述電流、電壓曲線(xiàn)和開(kāi)關(guān)特性，模型用[pullup]、[Pulldown]、[gndclamp]、[powerclamp]和[ramp]等關(guān)鍵字說(shuō)明，[model]后的參數定義了模型的類(lèi)型（輸入、輸出、I/O、開(kāi)漏極等）以及它的輸入/輸出電容。
IBIS模型有3組可能的值：min、max以及typ。
IBIS文件中的V/I曲線(xiàn)數據包括：pullup、pulldown、powerclamp、gndclamp四種，V/I曲線(xiàn)數據描述電壓從-Vcc～+2Vcc的對應電流的情況，輸入芯片的電流為正。
IBIS模型類(lèi)型：
1.輸入（input）：作為接收器，必須定義輸入門(mén)限（Vinh、Vinl）、Powerclamp和gndclamp；
2.輸出（output）：作為驅動(dòng)器，必須定義powerclamp、gndclamp、pullup、pulldown、ramp（dV/dt），此外可以有輸出高低電平門(mén)限（不屬于IBIS模型規范）；
3.I/O：根據使能既可以作為驅動(dòng)器也可以作為接收器；
4.三態(tài)（3-state）：通常作為驅動(dòng)器，也可通過(guò)使能端關(guān)閉；
5.open_drain：典型的驅動(dòng)器模型，有一個(gè)開(kāi)路的上拉側；
6.I/O_open_drain：具有I/O和open_drain雙重特性；
7.open_sink：驅動(dòng)器模型，有一個(gè)開(kāi)路的上拉側，由用戶(hù)提供一個(gè)上拉的電阻和一個(gè)電壓連接；
8.I/O_open_sink：具有I/O和open_sink雙重特性；
9.open_source：驅動(dòng)器的模型，有一個(gè)開(kāi)路的下拉側，由用戶(hù)提供一個(gè)下拉電阻和地或電源的電壓連接；
10.I/O_open_source：具有I/O和open_source雙重特性；
11.ECL：EmitterCoupledLogic，包括input_ECL、output_ECL、I/O_ECL、3-state_ECL；
12.終端terminator：通常是輸入模型，當沒(méi)有數字邏輯門(mén)限時(shí)作為模擬的負載效應，如電阻、電容、二極管等。 |
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發(fā)表于 2010-10-9 19:38:29
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