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隨著(zhù)電子信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,片式電感作為新型基礎無(wú)源器件,以其良好的性能價(jià)格比和便于高密度貼裝等顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn),迅速得到了廣泛應用,尤其在以移動(dòng)手機為代表的通信終端設備中,片式電感獲得了典型的高頻應用。由于RF電路的工作頻率不斷提升,片式電感在應用方面的性能特點(diǎn)發(fā)生了明顯變化,已經(jīng)開(kāi)始顯現出低端微波頻段的工作特性。因此，為有效提升片式電感的電性參數，改善RF電路性能，必須進(jìn)一步分析其低頻特性與高頻特性的不同規律。
另一方面，不斷推陳出新的通信系統（GSM、CDMA、PCS、3G…）使得片式電感的工作頻率逐步達到了2GHz甚至更高。因此，以傳統的集中參數電路理論對片式電感器件進(jìn)行阻抗分析，則顯現出越來(lái)越明顯的局限性。探索適合高頻條件下的工程分析手段也已成為片式電感研發(fā)、生產(chǎn)、分析和應用的重要課題。
阻抗分析
電感的物理意義是利用導電線(xiàn)圈儲存交變磁場(chǎng)能量,而在實(shí)際電路應用中,電感器件的主要作用則是向電路提供所需的感性阻抗,在與其他相關(guān)元件配合下完成相應的電路功能（匹配、濾波、振蕩等）。常見(jiàn)的片式電感器件包括疊層片式、繞線(xiàn)片式、光刻薄膜等形式，其生產(chǎn)工藝和內電極結構均有所不同。但在中低頻率條件下,由于信號波長(cháng)遠大于器件尺寸,器件的電路響應受內電極結構的影響較小,通常都可以采用集中參數等效模型（見(jiàn)圖一）對片式電感的阻抗特性予以近似分析。據此可推導出常用電性能參數的函數式。
導納函數
Y(j )=({1}\over{R_{O}}+{r}\over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{O}})+j( C_{O}-{ L_{O}}\over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{o}})
則阻抗函數
Z(j )={1}\over{Y(j )}=R( )+j ( )
可近似導出阻抗
Z( )=\sqrt{R^{2}( )+ ^{2}( )}
={ L_{O}}\over\sqrt{({ L_{O}}\over{R_{O}}+{r}\over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})^{2}}
電感量
L( )={ ( )}\over{ }={L_{O}(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})}\over{({{ L_{O}}\over{R_{O}}+{r}\over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})^{2}}
品質(zhì)因素
Q( )={ ( )}\over{R( )}={(1-{ ^{2}}\over{SRF^{2}})}\over{({ L_{O}}\over{R_{O}}+{r}\over{ L_{o}})}
其中
SRF={1}\over{2 \sqrt{L_{O}C_{O}}}
=2 F
由這些函數表達式不難歸納出:
(1)在工作頻率低于自諧頻率SRF時(shí)，片式電感的阻抗特性非常接近理想電感而呈現較好的線(xiàn)性特性，品質(zhì)因素Q也較高，因此通常以此確定電感的額定工作頻段；
(2)在電感量L0為額定值時(shí)，提高自諧頻率SRF的唯一方法是減小寄生電容C0；
(3)在低頻工作區,降低內電極電阻r將有效提升品質(zhì)因素Q值，而在高頻工作區，減小電磁漏損（增大R0）對Q值的提高則更為顯著(zhù)；
(4)當工作頻率 高于自諧頻率SRF時(shí),片式電感呈現出容性阻抗特性。
通常應用中，利用阻抗分析儀檢測片式電感端電極間的Z（ ）、L（ ）、Q（ ）等參數，即可準確反映出工作頻率下實(shí)際電路的響應特性，據此可進(jìn)行準確的電路設計與器件選擇。作為比較，圖2中列出相同規格的高頻電感（SGHI1608H100N）與鐵氧體電感（SGMI1608M100N）的L（f）、Q（f）參數曲線(xiàn)，顯然高頻電感有更高的自諧頻率和線(xiàn)性工作頻段，而鐵氧體電感則有較高的Q值。
高頻分析
當工作頻率較高（2GHz左右）時(shí)，信號波長(cháng)逐漸可以與器件尺寸相比擬。片式電感的阻抗呈現出明顯的分布特性，即不同的參考位置存在不同阻抗。圖1所示的分析模型已不適合用以描述高頻工作的電感器件。在高頻條件下，器件的電路響應可隨其尺寸和空間結構的不同而發(fā)生相應變化，常規的阻抗測量參數已不能準確反映實(shí)際電路中的響應特性。以某型號移動(dòng)手機RF功放電路為例，其中兩款用于阻抗匹配的高頻電感（工作頻率1.9GHz）均采用光刻薄膜式電感，若以相同規格及精度，但Q值明顯較高的疊層片式電感（測量?jì)x器 HP-4291B）予以取代，其結果卻是電路傳輸增益下降近10％。說(shuō)明電路匹配狀態(tài)下降，用低頻分析方法顯然無(wú)法準確解釋高頻應用問(wèn)題，僅僅關(guān)注L（ ）和Q（ ）對片式電感的高頻分析是不適宜的，至少是不夠的。
電磁場(chǎng)理論在工程中常用來(lái)分析具有分布特性的高頻應用問(wèn)題。通常在利用阻抗分析儀（HP-4291B）對片式電感進(jìn)行的測量中，可通過(guò)夾具補償和儀器校準等手段將測量精度提高到 0.1nH左右，理論上足以保證電路設計所需的精度要求。但不容忽視的問(wèn)題是，此時(shí)的測量結果僅僅反映了匹配狀態(tài)下（測量夾具設計為精確匹配）電感器件端電極界面之間的參數性能，對電感器件的內部電磁分布情況和外部電磁環(huán)境要求卻未能反映出來(lái)。相同測試參數的電感可能因內電極結構不同而存在完全不同的電磁分布狀態(tài)，在高頻條件下，片式電感的實(shí)際電路應用環(huán)境（近似匹配、密集貼裝、PCB分布影響）與測試環(huán)境往往有差異，極易產(chǎn)生各種復雜的近場(chǎng)反射而發(fā)生實(shí)際響應參數（L、Q）的微量變化。對RF電路中的低感值電感，這種影響是不容忽視的，我們把這種影響稱(chēng)之為“分布影響”。
高頻電路（包括高速數字電路）設計中，基于電路性能、器件選擇和電磁兼容等因素的考慮，通常是以網(wǎng)絡(luò )散射分析（S參數）、信號完整性分析、電磁仿真分析、電路仿真分析等手段，來(lái)綜合考量實(shí)際電路系統的工作性能。針對片式電感器件的“分布影響”問(wèn)題，一個(gè)可行的解決方案是對電感器件進(jìn)行結構性電磁仿真并精確提取相應的SPICE電路模型參數，作為電路設計的依據，以此有效減小電感器件在高頻設計應用中的誤差影響。國外（日本）主要元器件企業(yè)的片式電感產(chǎn)品技術(shù)參數大多包含有S參數，通�？捎糜诰_的高頻應用分析。
電路應用
在高頻電路中比較常用的片式電感有光刻薄膜電感、片式繞線(xiàn)電感和疊層片式電感三種。由于內電極的結構特點(diǎn)有明顯不同，即使參數規格相同情況下，其電路響應卻不盡相同。實(shí)際電路應用中對電感器件的選擇有一定規律和特點(diǎn)，在此可略作歸納如下：
阻抗匹配：射頻電路（RF）通常由高放（LNA）、本振（LO）、混頻（MIX）、功放（PA）、濾波（BPF/LPF）等基本電路單元構成。在特性阻抗各不相同的單元電路之間，高頻信號需要低損耗耦合傳輸，阻抗匹配成為必不可少。典型方案是利用電感與電容組合為“倒L”或“T”型匹配電路，對其中的片式電感，匹配性能的好壞很大程度是取決于電感量L的精確度，其次才是品質(zhì)因素Q的高低。在工作頻率較高時(shí)，往往使用光刻薄膜電感來(lái)確保高精度的L。其內電極集中于同一層面，磁場(chǎng)分布集中，能確保裝貼后的器件參數變化不大。
諧振放大：典型的高頻放大電路通常采用諧振回路作為輸出負載。對其增益和信噪比等主要性能參數來(lái)說(shuō)，片式電感的品質(zhì)因素Q成為關(guān)鍵。L的少許誤差影響可由多種電路形式予以補償和修正，因而多采用繞線(xiàn)片式電感和疊層片式電感，對工作頻率下的Q值要求較高。而薄膜片式電感無(wú)論是價(jià)格還是性能在此都不適合。
本地振蕩：本振電路（LO）必須由含振蕩回路的放大電路構成，通常是以VCO－PLL的形式向RF電路提供精確的參考頻率，因此本振信號的質(zhì)量直接影響著(zhù)電路系統的關(guān)鍵性能。振蕩回路中的電感必須具有極高的Q值和穩定度，以確保本振信號的純凈、穩定。由于石英晶體具有相對較寬的阻抗動(dòng)態(tài)補償，此時(shí)對片式電感的L精度要求并不是首要指標，因此疊層片式電感和繞線(xiàn)片式電感多被用于VCO電路。
高頻濾波：低通濾波（LPF）常見(jiàn)于高頻電路的供電去耦回路，有效抑制高次諧波在供電回路的傳導，額定電流和可靠性是首要關(guān)注參數；而帶通濾波（BPF）則多用于高頻信號的耦合，或同時(shí)兼有阻抗匹配的作用。此時(shí)插入衰減要盡量小，L、Q是此時(shí)的重點(diǎn)參數。綜合比較，疊層片式電感最適合這種應用。 |
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發(fā)表于 2010-10-18 12:05:16
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