Vishay發(fā)布兩款用于植入式醫療的功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-10-25 09:04    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: 植入
Vishay將為業(yè)內首個(gè)用于植入式醫療應用的功率MOSFET系列增添兩款新器件:SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造,對制造工藝進(jìn)行了嚴格控制。

今天發(fā)布的器件是一款采用PowerPAK SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET,及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過(guò)對每個(gè)批次的產(chǎn)品施加強化的質(zhì)量控制閥:統計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL),對晶圓和器件封裝進(jìn)行部件平均測試(PAT)控制,以及對所有批次的晶圓進(jìn)行一致可靠性測試,確保新MOSFET獲得區別于商用器件的高質(zhì)量和高可靠性。嚴格的SMM醫療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質(zhì)量標準(AQL)。

新MOSFET的應用將包括送藥系統、除顫器、起搏器、助聽(tīng)器和其他植入式設備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm,SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節省小型醫療設備中的空間,同時(shí)其低至0.4Ω的超低導通電阻能夠降低傳導損耗,從而延長(cháng)電池壽命。

關(guān)鍵的器件規格見(jiàn)下表:

  型號

SMMA511DJ


SMMB912DK

  封裝

PowerPAK SC-70


PowerPAK SC-75

  類(lèi)型

N溝道


P溝道


N溝道

  VDS  (V)

12


- 12


20

  RDS(ON)  @ 4.5 V (Ω)

0.040


0.070


0.215

  RDS(ON)  @ 2.5 V (Ω)

0.048


0.100


0.268

  RDS(ON)  @ 1.8 V (Ω)

0.063


0.140


0.375



不斷擴大的Vishay Siliconix SMM醫療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道,以及N溝道和P溝道成對配置的器件。網(wǎng)址http://www.vishay.com/medical-mosfets/提供完整的詳細信息。

SMMA511DJ和SMMB912DK現可提供樣品,將于2010年4季度實(shí)現量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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