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美國硅谷一家公司19日宣布開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫(xiě)速度更快的新型存儲器。 這家名為“統一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說(shuō)，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。 NAND型閃存因為存儲容量大等特點(diǎn)，目前在數碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專(zhuān)家認為，NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限，容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高�！敖y一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在充當閃存的替代品和“接班人”。 該公司介紹說(shuō)，新技術(shù)主要基于帶電離子在特定材料之間的運動(dòng)來(lái)實(shí)現信息的存儲，其存儲單元不像閃存需要采用晶體管，因此在存儲密度等方面比閃存更有優(yōu)勢。 “統一半導體”是一家創(chuàng )業(yè)公司，2002年創(chuàng )立至今共獲得約7500萬(wàn)美元風(fēng)險投資。它計劃于2010年下半年試生產(chǎn)容量達64G的新型存儲器，并打算2011年第二季度將其投入量產(chǎn)。 一些業(yè)內人士認為，新產(chǎn)品能否在價(jià)格上真正具有競爭力，將是“統一半導體”需要面對的考驗之一。此前也有公司嘗試推出NAND型閃存的替代產(chǎn)品，但都未能解決成本過(guò)高的問(wèn)題。 |
