SK海力士今日正式宣布，成功研發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。該產(chǎn)品以革命性技術(shù)創(chuàng )新突破行業(yè)瓶頸，重新定義高性能、低功耗與輕薄設計的完美平衡，為智能手機端側AI（On-device AI）應用提供強大支持，并鞏固SK海力士在旗艦移動(dòng)存儲市場(chǎng)的領(lǐng)導地位。
AI時(shí)代賦能：性能與低功耗兼得 隨著(zhù)端側AI技術(shù)的快速發(fā)展，用戶(hù)對移動(dòng)設備的計算性能與續航能力提出更高要求。SK海力士此次推出的UFS 4.1產(chǎn)品專(zhuān)為優(yōu)化AI工作負載設計，搭載的321層NAND閃存通過(guò)優(yōu)化存儲單元結構與數據傳輸機制，實(shí)現了能效7%提升，為智能手機提供更持久的續航表現。同時(shí)，其厚度縮減至僅0.85mm，較上一代產(chǎn)品減薄15%，完美適配超薄智能手機設計需求，為設備形態(tài)創(chuàng )新預留空間。 性能領(lǐng)跑行業(yè)：速度與容量全面升級 在數據傳輸層面，該UFS 4.1產(chǎn)品支持順序讀取峰值速率達4300MB/s，可快速加載大型AI模型與媒體文件。其隨機讀取和寫(xiě)入速度較上一代分別提升15%和40%，在多任務(wù)處理、大型游戲啟動(dòng)及高分辨率圖像與視頻處理等場(chǎng)景中表現卓越，綜合性能位居全球UFS 4.1解決方案首位。 容量方面，新品提供512GB與1TB雙版本選擇，滿(mǎn)足從普通用戶(hù)到大容量需求者的多種場(chǎng)景需求，進(jìn)一步推動(dòng)本地存儲從“云端依賴(lài)”向“邊緣計算”的轉變，助力端側AI實(shí)時(shí)響應與隱私保護。 技術(shù)突破：321層工藝定義行業(yè)新標桿 此次發(fā)布的解決方案基于全球首款321層4D NAND閃存（1Tb容量），標志著(zhù)SK海力士在存儲芯片制程與堆疊技術(shù)領(lǐng)域取得重大躍進(jìn)。通過(guò)優(yōu)化垂直堆疊技術(shù)與電路設計，該產(chǎn)品在單位面積內實(shí)現更高存儲密度，同時(shí)降低能耗與發(fā)熱，為未來(lái)智能手機向更高性能、更輕薄、更智能的方向演進(jìn)提供堅實(shí)基礎。 量產(chǎn)計劃穩步推進(jìn) SK海力士計劃于202X年底向客戶(hù)交付樣品進(jìn)行驗證測試，并將于202X年第一季度正式量產(chǎn)。公司高層表示：“UFS 4.1解決方案的推出，不僅展現了我們在NAND技術(shù)創(chuàng )新上的領(lǐng)先性，更體現了對未來(lái)AI終端生態(tài)的深度布局。我們期待攜手合作伙伴，加速端側AI應用的普及，為用戶(hù)帶來(lái)更高效、更智能的移動(dòng)體驗�！� |
