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據外媒thelec報道，在全球半導體市場(chǎng)持續變革與發(fā)展的當下，SK海力士做出了一個(gè)重大戰略決策：決定將今年資本支出計劃（CAPEX）提高30%，以積極應對業(yè)界對HBM3E產(chǎn)品需求的激增態(tài)勢。 近年來(lái)，隨著(zhù)人工智能、大數據、云計算等新興技術(shù)的飛速發(fā)展，對高性能存儲器的需求呈現出爆發(fā)式增長(cháng)。作為高性能存儲領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，HBM（高帶寬內存）產(chǎn)品在提升數據處理速度、降低功耗等方面展現出巨大優(yōu)勢，備受市場(chǎng)青睞。而HBM3E作為HBM技術(shù)的進(jìn)一步升級，更是憑借其超高帶寬和更低的延遲，成為存儲市場(chǎng)的焦點(diǎn)。 SK海力士此次大幅上調資本支出計劃，正是敏銳地捕捉到了這一市場(chǎng)趨勢。該公司計劃通過(guò)增加資本投入，在設備購置、研發(fā)投入、生產(chǎn)線(xiàn)擴充等方面進(jìn)行全面升級，旨在大幅提升HBM3E產(chǎn)品的產(chǎn)能和性能，滿(mǎn)足市場(chǎng)日益增長(cháng)具體而言，SK海力士原本計劃在擴展設施上的投資為22萬(wàn)億韓元（按當前匯率約合1122.66億元人民幣），但此次已將這一數字大幅上調至29萬(wàn)億韓元（約合1479.87億元人民幣）。這一顯著(zhù)增加的投入規模，顯示出SK海力士對于HBM3E產(chǎn)品市場(chǎng)前景的高度重視以及在該領(lǐng)域持續深耕的決心。 在產(chǎn)能布局方面，SK海力士已有了清晰的規劃。據報道，該公司決定將原本預計今年交付的設備交付時(shí)間提前。例如，已通知相關(guān)供應商，在10月之前將設備交付至位于韓國忠州的M15X工廠(chǎng)，相較于最初計劃提前了兩個(gè)月。這一舉措將有助于加快HBM3E產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的進(jìn)程，加速SK海力士在高性能存儲市場(chǎng)的布局。 HBM3E產(chǎn)品市場(chǎng)需求的激增，也讓SK海力士在市場(chǎng)競爭中占據了先機。此前，據Counterpoint Research的數據顯示，SK海力士在今年第一季度已經(jīng)以36%的市場(chǎng)份額超越三星（34%），首次成為DRAM市場(chǎng)的頭號供應商。同時(shí)，其不斷增長(cháng)的HBM3E產(chǎn)品訂單，也讓業(yè)界對其未來(lái)在高性能存儲領(lǐng)域的發(fā)展充滿(mǎn)期待。 行業(yè)專(zhuān)家分析認為，SK海力士此次提高資本支出計劃，不僅是對市場(chǎng)需求的快速響應，更是其鞏固自身市場(chǎng)地位、擴大在全球半導體產(chǎn)業(yè)影響力的重要戰略舉措。這一決策將對全球半導體存儲市場(chǎng)格局產(chǎn)生深遠影響，也可能引發(fā)其他行業(yè)競爭對手的一系列連鎖反應，進(jìn)一步推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的創(chuàng )新與發(fā)展。 |
