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市場(chǎng)研究機構最新發(fā)布的報告顯示，在高帶寬存儲器（HBM）需求激增的推動(dòng)下，SK海力士憑借其在A(yíng)I高性能存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，于2025年第一季度首次超越三星電子，成為全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收最高的廠(chǎng)商。這一里程碑標志著(zhù)DRAM產(chǎn)業(yè)格局的重大變化，也凸顯了HBM技術(shù)對行業(yè)發(fā)展的戰略性影響。 HBM需求爆發(fā)重塑市場(chǎng)格局 據TrendForce、Omdia及Counterpoint Research等多家機構數據顯示，2025年第一季度全球DRAM市場(chǎng)規模達263億至270億美元，盡管受傳統DRAM價(jià)格下跌及HBM出貨量階段性調整影響，整體環(huán)比下滑約5%-9%，但SK海力士憑借HBM3E產(chǎn)品的高附加值和穩定的市場(chǎng)份額，實(shí)現營(yíng)收97.2億美元（Omdia數據），環(huán)比降幅僅7.1%，以36%的市占率登頂全球第一。相比之下，三星電子受HBM3E改版設計及中國市場(chǎng)出貨限制等因素影響，營(yíng)收降至91億美元，市場(chǎng)份額下滑至33.7%。 SK海力士的崛起源于其對HBM技術(shù)的長(cháng)期投入。作為AI服務(wù)器、高性能計算（HPC）等領(lǐng)域的核心存儲組件，HBM通過(guò)垂直堆疊技術(shù)實(shí)現遠超傳統DRAM的帶寬與能效，成為支撐生成式AI大模型訓練的關(guān)鍵硬件。機構數據顯示，SK海力士目前占據全球HBM市場(chǎng)超70%的份額，其12層HBM3E產(chǎn)品獨家供應英偉達最新一代AI加速器，預計2025年HBM業(yè)務(wù)收入占其DRAM總銷(xiāo)售額的40%以上，并計劃年底前將12層HBM3E的出貨占比提升至80%（TrendForce預測）。 三星承壓：技術(shù)迭代與市場(chǎng)策略調整 三星電子雖在2024年第四季度以112.5億美元收入領(lǐng)跑行業(yè)，但2025年Q1因HBM產(chǎn)能排擠效應及客戶(hù)結構調整導致?tīng)I收顯著(zhù)下滑。Counterpoint Research指出，三星HBM3E產(chǎn)品出貨延遲及對中國大陸市場(chǎng)的限制，使其在高端存儲領(lǐng)域的競爭力暫時(shí)受挫。不過(guò)，三星仍保持傳統DRAM市場(chǎng)的規模優(yōu)勢，未來(lái)或通過(guò)加速HBM4研發(fā)（預計2026年量產(chǎn)）及1bnm制程升級（月產(chǎn)能目標9萬(wàn)片）重奪領(lǐng)先地位。 美光穩居第三，臺系廠(chǎng)商差異化突圍 美光科技憑借靈活的產(chǎn)能調配和HBM3E產(chǎn)品的增長(cháng)，Q1營(yíng)收達65.8億美元，環(huán)比逆勢增長(cháng)2.7%，市占率提升至24.3%。臺系廠(chǎng)商如南亞科技和華邦電子則通過(guò)DDR5及LPDDR4等成熟制程產(chǎn)品填補市場(chǎng)缺口，分別實(shí)現8.5%和22.7%的營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)，展現特定應用領(lǐng)域的韌性。 機構展望：HBM引領(lǐng)長(cháng)期增長(cháng)，下半年或迎復蘇 盡管Q1市場(chǎng)整體疲軟，TrendForce預測隨著(zhù)PC、智能手機廠(chǎng)商完成庫存調整，疊加AI算力需求持續攀升，2025年下半年DRAM合約價(jià)有望止跌回升。HBM的市場(chǎng)滲透率預計將從2024年的18%躍升至2025年的30%以上，并在2033年占據DRAM市場(chǎng)的“半壁江山”（Counterpoint Research數據）。SK海力士計劃通過(guò)擴大12層HBM3E產(chǎn)能及推進(jìn)HBM4技術(shù)，鞏固其在A(yíng)I時(shí)代的競爭優(yōu)勢。 |
