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據臺媒digitimes今日消息，SK海力士預計將獨家供應英偉達新一代Blackwell Ultra架構芯片所需的第五代12層HBM3E（高帶寬內存）芯片。這一合作不僅鞏固了SK海力士在高端內存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，也預示著(zhù)其與三星電子、美光科技等競爭對手的差距將進(jìn)一步拉大。 SK海力士于去年9月全球率先開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM3E芯片，并實(shí)現了最大36GB的容量。這款芯片的運行速度可達9.6Gbps，性能卓越，為高性能計算、人工智能等領(lǐng)域提供了強大的支持。特別是在搭載四個(gè)HBM的GPU上運行如“Llama 3 70B”這樣的大型語(yǔ)言模型時(shí)，每秒可讀取35次700億個(gè)整體參數，展現了其驚人的數據處理能力。 此次與英偉達的合作，是SK海力士技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)策略的雙重勝利。英偉達作為全球領(lǐng)先的GPU制造商，其Blackwell Ultra架構芯片被譽(yù)為“史上最強AI芯片”，擁有2080億個(gè)晶體管，是上一代芯片“Hopper”的兩倍多，可以支持多達10萬(wàn)億個(gè)參數的AI模型。而SK海力士的12層HBM3E芯片，正是這款頂級芯片所需的關(guān)鍵內存組件。 值得注意的是，SK海力士在高端內存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位并非偶然。去年11月，SK集團會(huì )長(cháng)崔泰源曾透露，英偉達CEO黃仁勛要求SK海力士提前六個(gè)月供應被稱(chēng)為HBM4的下一代高帶寬內存芯片。這一要求不僅體現了英偉達對SK海力士技術(shù)實(shí)力的信任，也預示著(zhù)雙方在高端內存領(lǐng)域的合作將更加緊密。 相比之下，三星電子雖然已獲得批準向英偉達供應其8層HBM3E芯片，但在高帶寬內存技術(shù)方面仍然落后于SK海力士和美光科技等競爭對手。而美光科技雖然也推出了12層堆疊的HBM內存產(chǎn)品，但其在市場(chǎng)上的影響力和供應能力尚無(wú)法與SK海力士相抗衡。 |
