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從簡(jiǎn)單的精度約30000ppm的RC振蕩器，到精度優(yōu)于0.001ppb的原子鐘，有很多滿(mǎn)足不同應用要求的時(shí)鐘選項。多年以來(lái)，體聲波(BAW)晶體振蕩器可用以滿(mǎn)足大多數要求，它提供的精度在10ppm范圍內。精度低一些的選擇，如SAW振蕩器、陶瓷振蕩器以及IC振蕩器，它們各自具有其滿(mǎn)足特定需求的優(yōu)勢。 長(cháng)期以來(lái)，石英基器件被作為大多數其他定時(shí)器件用來(lái)比較的標準。石英作為頻率選擇與定時(shí)器件的穩定、可控的高質(zhì)量材料的歷史得到了廣泛認可，并且頻率溫度響應、老化率以及抖動(dòng)與相位噪聲特性也在業(yè)界被詳盡記載。 圖1 相位噪聲圖 與基于MEMS的振蕩器相關(guān)的最新介紹常常伴有一些論斷，認為該技術(shù)可提供更低的成本、更短的設計與生產(chǎn)周期、卓越的沖擊與振動(dòng)性能以及更為出色的信號質(zhì)量，從而將最終取代石英。除了這些論斷外，已獲得的能夠有助于理解MEMS振蕩器特性的研究極少。本研究力圖提供MEMS振蕩器與傳統基于石英諧振器的振蕩器的直接對比。多年以來(lái)，體聲波晶體振蕩器以其10×10-6精度范圍滿(mǎn)足了絕大多數需求。 研究方法 這里給出的結果基于典型頻率控制的業(yè)界測量技術(shù)的應用，并代表了在2008年進(jìn)行此研究時(shí)獲得的商業(yè)化技術(shù)。許多電特性被評估，包括頻率溫度特性、相位噪聲/抖動(dòng)、短期穩定度、啟動(dòng)時(shí)間、電流與長(cháng)期穩定度(老化率)。 限于篇幅，本文僅給出相位噪聲/抖動(dòng)與短期穩定度相關(guān)的數據。登錄www.pletronics.com/ple/pages/documentation/，可獲得完整研究的PDF副本。 上述產(chǎn)品均為CMOS電平輸出，工作在3.0或3.3V，輸出頻率為25～50MHz。測試的BAW石英晶體振蕩器，25MHz時(shí)為基諧波模式，50MHz時(shí)為三階諧波模式。這里給出的結果為典型器件的測試值或該型號的多個(gè)器件的平均值。 相位噪聲/抖動(dòng) 這里采用安捷倫（Agilent）5052信號源分析儀測試系統進(jìn)行測量。該系統測量除有效信號外的其他輸出信號電平，它還是實(shí)際主輸出電平的參考。振蕩器在同樣的電容器旁路的帶15pF負荷的固定設備中工作，由低噪聲Agilent線(xiàn)性電源供電。 如圖1所示，較高的相位噪聲水平表明MEMS振蕩器技術(shù)并不是一項等效技術(shù)。Agilent測試系統測試結果表明，當前通信與數據傳輸應用很可能出現抖動(dòng)的問(wèn)題。 相位噪聲圖很好地展示了這些采用了不同技術(shù)的器件的設計與特性。鄰近區相位噪聲水平(<1kHz)主要取決于Q值或諧振器的選擇，石英BAW諧振器的選擇性遠高于其他MEMS器件。 (a)和MEMS2諧振振蕩器 (b)的短期穩定度 圖2 MEMS1諧振振蕩器 1～100kHz部分反映了設計的相關(guān)信息。MEMS振蕩器采用鎖相環(huán)(PLL)設計，在該設計中MEMS諧振器由M/N合成環(huán)路的VCO鎖相。MEMS振蕩器的相位噪聲水平是PLL環(huán)路帶寬、VCO選擇性與主要諧振器的Q值共同影響的結果。石英諧振器器件工作在輸出頻率，且在輸出端沒(méi)有PLL的附加噪聲信號。 相位噪聲可在確定的頻率區間上積分并從頻域轉換至時(shí)域，以提供抖動(dòng)值的均方根，如表1所示。這是計算基于石英晶體的諧振器抖動(dòng)的常規作法，石英晶體的抖動(dòng)性能通常等于或超過(guò)最好的示波器。 短期穩定度 如圖2所示，此處給出的短期穩定度數據是在8分鐘內每隔0.1s測量穩定在25℃（誤差僅零點(diǎn)幾度）的振蕩器的頻率值。各部分均由安捷倫53152頻率計數器測試，該計數器利用銣原子頻率標準參考源進(jìn)行工作。頻率變化以第一次讀數的百萬(wàn)分率為單位顯示在圖中。 BAW振蕩器的圖表（此處不再列出，但在完整研究報告中可找到）為大多數人所熟知。對于相同的測試，典型的BAW振蕩器偏差低于±0.02ppm，這樣會(huì )在零偏差圖表線(xiàn)處形成一條直線(xiàn)。 數據表明兩種技術(shù)并不完全一樣，同時(shí)展示了不同器件的設計與特性。 ● MEMS器件的低Q值導致更嚴重的頻率偏差。 ● MEMS器件顯示了每百萬(wàn)分之幾的階躍變化。這是校正諧振器溫度變化的溫度補償電路的特性。該特性可列成PLL電路中的數字變化表從而校正頻率。 ● MEMS1與MEMS2的設計(兩個(gè)不同制造商)在數字補償切換頻率上完全不同。 ● BAW晶體諧振器更穩定，從而具有更高的諧振器Q值，且沒(méi)有數字校正信號。 該研究采用已有測量技術(shù)對商用BAW與MEMS振蕩器的多種不同電特性進(jìn)行了比較，在此基礎上進(jìn)行了部分討論，并在表2中做了相應總結。結果表明，兩種技術(shù)是不可互換的。頻率偏差、MEMS振蕩器的低Q值與數字溫度補償都造成了許多應用中不可接受的頻率波動(dòng)。 過(guò)去嘗試以數字方式實(shí)現BAW振蕩器的溫度補償在市場(chǎng)上沒(méi)有成功，原因在于補償階躍，盡管事實(shí)上它比MEMS振蕩器中采用的步長(cháng)明顯小很多。例如，目前手機的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)均采用模擬補償。 MEMS振蕩器看起來(lái)非常適用于高振動(dòng)環(huán)境、對定時(shí)要求不高的應用以及信噪比要求不高的應用。而具有復合調制方案、非常高速的通信或需要極佳的信噪比性能的應用(如A/D轉換器)仍將繼續通過(guò)BAW器件定時(shí)，利用石英的高Q值以及極佳的溫度穩定性。 |
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