|
來(lái)自英國蘇格蘭的Point35Microstructure創(chuàng )建于2003年，以提供各種高質(zhì)量的翻新半導體制造系統起家。2004年，該公司進(jìn)入MEMS領(lǐng)域，推出了自有的messtar系統。 目前晶圓廠(chǎng)中鮮有專(zhuān)為MEMS制造而設計的。相反，大部分都采用已有的設備進(jìn)行MEMS生產(chǎn)。雖然部分MEMS制造的確可以采用現有的光刻、薄膜氣相沉積等工藝進(jìn)行，但諸如深反應離子蝕刻、等向性蝕刻、抗粘滯薄膜等被認為是MEMS發(fā)展趨勢工藝制程卻必須要使用特定的制造設備。 傳統的MEMS工藝主要以干法蝕刻為主，不過(guò)由于它是一種垂直工藝，比如在如圖所示的需要橫向工藝來(lái)將底部掏空的場(chǎng)合就無(wú)法勝任。這會(huì )對MEMS設計工程師的自由度造成局限，進(jìn)而影響到他們無(wú)法再特定的器件技術(shù)下無(wú)法選擇最優(yōu)的工藝集成方案。此外，濕法刻蝕(如KOH溶液)還無(wú)法同CMOS技術(shù)兼容，并帶來(lái)工藝控制程度低、釋放粘滯(Releasestiction)、對集成電路可能造成破壞以及環(huán)境問(wèn)題等諸多不良影響。 MEMS 制造如何擺脫濕法刻蝕帶來(lái)的困境？選擇新的材料無(wú)疑是一條必由之路。不過(guò)，這里要強調的是，尋找一種能適應某種工藝的材料可能是一個(gè)錯誤的方向。 Point35的選擇是——尋找一種能夠適應器件需求的材料。這就是被稱(chēng)之為犧牲性汽相釋放(SVR)模塊技術(shù)的由來(lái)。 與濕法化學(xué)的蝕刻不同，SVR可以完全取出材料而不損壞機械結構或產(chǎn)生黏附問(wèn)題，而且還具有高度的可選擇性、可重復性以及均勻性。此外，SVR保留了干燥的表面，省去了包含在濕法工藝中的表面準備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。而同CMOS工藝兼容的優(yōu)勢也令MEMS器件如IC般在相同的設施和基板上進(jìn)行生產(chǎn)，并適用于新類(lèi)型的單芯片MEMS/CMOS器件。 Point35Microstructure的SVR工藝采用XeF2作為升華物(SublimatingSolid)，無(wú)水氫氟蒸汽aHF來(lái)去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機械結構。 |
