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前言 STM32全系列產(chǎn)品都具有CRC外設，對CRC的計算提供硬件支持，為應用程序節省了代碼空間。CRC校驗值可以用于數據傳輸中的數據正確性的驗證，也可用于數據存儲時(shí)的完整性檢查。在IEC60335中，也接受通過(guò)CRC校驗對FLASH的完整性進(jìn)行檢查。在對FLASH完整性檢查的應用中，需要事先計算出整個(gè)FLASH的CRC校驗值（不包括最后保存CRC值的字節），放在FLASH的末尾。在程序啟動(dòng)或者運行的過(guò)程中重新用同樣的方法計算整個(gè)FLASH的CRC校驗值，然后與保存在FLASH末尾的CRC值進(jìn)行比較。 EWARM從v5.5版本之后開(kāi)始支持STM32芯片的CRC計算。前面所說(shuō)的計算整個(gè)FLASH的CRC校驗值并保存在FLASH末尾的過(guò)程，可以在IAR中完成。通過(guò)配置EWARM的CRC計算參數，自動(dòng)對整個(gè)FLASH空間進(jìn)行CRC計算，并將計算結果放到FLASH的末尾。本文中將介紹的就是如何配置IAR的CRC參數，使之與STM32的CRC硬件模塊保持一致。本文中的例子都基于STM32F072進(jìn)行。 STM32的CRC外設 CRC校驗值的計算采用多項式除法，可以通過(guò)除數和被除數進(jìn)行異或運算實(shí)現。這種方法非常適合通過(guò)硬件電路來(lái)實(shí)現。 使用STM32CRC外設時(shí)，你要考慮的內容包括：采用哪個(gè)CRC生成多項式，輸入數據（要進(jìn)行校驗的數據）和初始值。 1.生成多項式 默認使用CRC32多項式：0x4C11DB7 部分芯片支持可編程的多項式，比如STM32F3，STM32F0，STM32L0 2.初始值 STM32的CRC初始值默認為0xFFFFFFFF，STM32F3，STM32F0，STM32L0系列可以修改初始值 3.輸入/輸出數據的反轉 STM32F3，STM32F0，STM32L0系列還提供了對輸入/輸出數據進(jìn)行反轉的功能。 默認不對輸入數據和輸出數據進(jìn)行位反轉 · 對輸入數據的位反轉操作可以設置為按字節/半字 /字為單元進(jìn)行操作。例如輸入數據為0x1A2B3C4D, o 每個(gè)字節內逐位反轉，結果是0x58D43CB2 o 每半字內逐位反轉，結果是0xD458B23C o 每個(gè)字長(cháng)內逐位反轉，結果是0xB23CD458 · 對輸出數據的位反轉。 o 例如輸出數據為0x11223344,反轉后為0x22CC4488 IAR的CRC配置 1.修改Link文件 指定checksum在FLASH中的存儲位置，在Link文件中增加下面語(yǔ)句。 該語(yǔ)句指定將CRC的值放在FLASH的末尾位置。是整個(gè)FLASH空間的末尾，不是應用程序的代碼末尾。這樣，CRC值的位置就是固定的。不會(huì )隨代碼大小而變化。 2.配置Checksum頁(yè)面的參數 IAR Checksum頁(yè)說(shuō)明（v6.4及以上） IAR的checksum頁(yè)面分為兩個(gè)部分。 第一部分，也就是紅線(xiàn)圈出的部分。定義了FLASH中需要計算CRC的范圍和空閑字節填充值。 剩下的部分，就是對checksum計算參數的設定部分。 Checksum size ：選擇checksum的大�。ㄗ止潝担� Alignment：指定checksum的對齊方式。不填的話(huà)默認2字節對齊。 Algorithm：選擇checksum的算法 Complement：是否需要進(jìn)行補碼計算。選擇“Asis”就是不進(jìn)行補碼計算。 Bit order：位輸出的順序。MSB first，每個(gè)字節的高位在前。LSB first，每個(gè)字節的低位在前。 Reverse byte order within word： 對于輸入數據，在一個(gè)字內反轉各個(gè)字節的順序。 Initial value： checksum計算的初始化值 Checksum unit size ：選擇進(jìn)行迭代的單元大小，按8-bit，16-bit還是32-bit進(jìn)行迭代。 3.STM32 CRC外設使用默認配置時(shí)IAR的配置 STM32CRC外設的配置： POLY= 0x4C11DB7（CRC32） Initial_Crc = 0Xffffffff 輸入/輸出數據不反轉 輸入數據：0x08000000~0x0801FFFB。(最后4個(gè)字節用來(lái)放計算出的CRC值) |
