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全新12LP技術(shù)改善了當前代產(chǎn)品的密度和性能，平臺增強了下一代汽車(chē)電子及射頻/模擬應用的性能 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現實(shí)到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò )基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術(shù)與當前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)利用了格芯在紐約薩拉托加縣Fab 8的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，該工廠(chǎng)自2016年初以來(lái)，一直在大規模量產(chǎn)格芯的14納米 FinFET平臺。 “世界正在處于向智能互聯(lián)時(shí)代轉型之中，這是一個(gè)前所未有的趨勢�！备裥臼紫瘓绦泄偕＝堋べZ（Sanjay Jha）表示，“全新的12LP技術(shù)以更高的性能和密度幫助我們的客戶(hù)在系統層面上繼續創(chuàng )新，包括實(shí)時(shí)連接以及從高端圖像處理、汽車(chē)電子到工業(yè)應用等邊緣處理�！� “我們很高興能進(jìn)一步拓展與格芯長(cháng)期以來(lái)的合作關(guān)系，成為他們全新12LP技術(shù)的主要客戶(hù)，” AMD首席技術(shù)官及技術(shù)與工程高級副總裁Mark Papermaster表示，“2017年，得力于我們與格芯的深度合作，AMD使用14納米 FinFET技術(shù)將一系列領(lǐng)先的高性能產(chǎn)品推向市場(chǎng)。我們很高興能與格芯在全新12LP工藝技術(shù)上進(jìn)行合作，這也是我們加速產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的一部分�！� 除了晶體管級的增強，12LP平臺還將包括專(zhuān)為業(yè)內增長(cháng)最快的兩個(gè)領(lǐng)域——汽車(chē)電子和射頻/模擬應用而設計的面向市場(chǎng)的全新功能。 • 汽車(chē)安全和自動(dòng)駕駛方面的新興汽車(chē)應用對于處理功耗和極致可靠性都有極高要求。12LP平臺兼具這兩種功能，并計劃于2017年第四季度在Fab 8進(jìn)行汽車(chē)二級資格認證。 • 新射頻特性拓展了12LP平臺在6GHz以下無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )中的高級收發(fā)器等射頻/模擬應用。/ 12LP為以數字邏輯為主，射頻/模擬內容較少的射頻芯片架構提供最佳邏輯和內存微縮。 格芯的全新12納米 FinFET技術(shù)是現有12納米FD-SOI產(chǎn)品12FDXTM的補充。雖然有些應用要求FinFET晶體管的卓越性能，但許多連接設備需要高度的集成，以及更靈活的性能和功耗，而這是FinFET無(wú)法實(shí)現的。12FDX為下一代智能互聯(lián)系統提供了一種替代路徑，實(shí)現了10納米 FinFET的性能，且比當前代FinFET產(chǎn)品功耗更低，成本更低，射頻集成更優(yōu)。 |
