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關(guān)于A(yíng)RM的22個(gè)概念讓你飛速上手

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發(fā)表于 2017-11-24 10:04:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: arm , 概念
1.ARM中一些常見(jiàn)英文縮寫(xiě)解釋

MSB:最高有效位;

LSB:最低有效位;

AHB:先進(jìn)的高性能總線(xiàn);

VPB:連接片內外設功能的VLSI外設總線(xiàn);

EMC:外部存儲器控制器;

MAM:存儲器加速模塊;

VIC:向量中斷控制器;

SPI:全雙工串行接口;

CAN:控制器局域網(wǎng),一種串行通訊協(xié)議;

PWM:脈寬調制器;

ETM:嵌入式跟蹤宏;

CPSR:當前程序狀態(tài)寄存器;

SPSR:程序保護狀態(tài)寄存器;

2.MAM 使用注意事項
當改變 MAM 定時(shí)值時(shí),必須先通過(guò)向 MAMCR 寫(xiě)入 0 來(lái)關(guān)閉 MAM,然后將新值寫(xiě)入 MAMTIM。最后,將需要的操

作模式的對應值寫(xiě)入MAMCR,再次打開(kāi)MAM。

對于低于 20MHz 的系統時(shí)鐘,MAMTIM 設定為 001。對于 20MHz 到 40MHz 之間的系統時(shí)鐘,建議將Flash訪(fǎng)問(wèn)

時(shí)間設定為2cclk,而在高于40MHz的系統時(shí)鐘下,建議使用3cclk。

3.VIC 使用注意事項
如果在片內RAM當中運行代碼并且應用程序需要調用中斷,那么必須將中斷向量重新映射到Flash地址0x0。這樣

做是因為所有的異常向量都位于地址 0x0及以上。通過(guò)將寄存器MEMMAP(位于系統控制模塊當中)配置為用戶(hù)

RAM模式來(lái)實(shí)現這一點(diǎn)。用戶(hù)代碼被連接以便使中斷向量表裝載到0x4000 0000。

4. ARM啟動(dòng)代碼設計
ARM啟動(dòng)代碼直接面對處理器內核和硬件控制器進(jìn)行編程,一般使用匯編語(yǔ)言。啟動(dòng)代碼一般包括:

中斷向量表

初始化存儲器系統

初始化堆棧初始化有特殊要求的端口、設備

初始化用戶(hù)程序執行環(huán)境

改變處理器模式

呼叫主應用程序

5.IRQ 和 FIQ 之間的區別
IRQ和FIQ是ARM處理器的兩種編程模式。IRQ是指中斷模式,FIR是指快速中斷模式。對于 FIQ 你必須盡快處理你

的事情并離開(kāi)這個(gè)模式。IRQ 可以被 FIQ 所中斷,但 IRQ 不能中斷 FIQ。為了使 FIQ 更快,所以這種模式有

更多的影子寄存器。FIQ 不能調用 SWI(軟件中斷)。FIQ 還必須禁用中斷。如果一個(gè) FIQ 例程必須重新啟用

中斷,則它太慢了,并應該是 IRQ 而不是 FIQ。

6.ARM處理器對異常中斷的響應過(guò)程
ARM處理器對異常中斷的響應過(guò)程如下所述:

保存處理器當前狀態(tài)、中斷屏蔽位以及各條件標志位;

設置當前程序狀態(tài)寄存器CPSR中的相應位;

將寄存器lr_mode設置成返回地址;

將程序計數器值PC,設置成該異常中斷的中斷向量地址,跳轉到相應異常中斷處執行。

7.ARM指令與Thumb指令的區別
在A(yíng)RM體系結構中,ARM指令集中的指令是32位的指令,其執行效率很高。對于存儲系統數據總線(xiàn)為16位的應用系

統,ARM體系提供了Thumb指令集。Thumb指令集是對ARM指令集的一個(gè)子集重新編碼得到的,指令長(cháng)度為16位。通

常在處理器執行ARM程序時(shí),稱(chēng)處理器處于A(yíng)RM狀態(tài);當處理器執行Thumb程序時(shí),稱(chēng)處理器處于Thumb狀態(tài)。

Thumb指令集并沒(méi)有改變ARM體系地層的程序設計模型,只是在該模型上加上了一些限制條件。 Thumb指令集中的

數據處理指令的操作數仍然為32位,指令尋址地址也是32位的。

8.什么是ATPCS
為了使單獨編譯的C語(yǔ)言程序和匯編程序之間能夠相互調用,必須為子程序之間的調用規定一定的規則。ATPCS就

是ARM程序和Thumb程序中子程序調用的基本規則。這些規則包括寄存器使用規則,數據棧的使用規則,參數的傳

遞規則等。

9.ARM程序和Thumb程序混合使用的場(chǎng)合
通常,Thumb程序比ARM程序更加緊湊,而且對于內存為8位或16位的系統,使用Thumb程序效率更高。但是,在下

面一些場(chǎng)合下,程序必須運行在A(yíng)RM狀態(tài),這時(shí)就需要混合使用ARM和Thumb程序。

強調速度的場(chǎng)合,應該使用ARM程序;有些功能只能由ARM程序完成。如:使用或者禁止異常中斷;

當處理器進(jìn)入異常中斷處理程序時(shí),程序狀態(tài)切換到ARM狀態(tài),即在異常中斷處理程序入口的一些指令是ARM指令

,然后根據需要程序可以切換到Thumb狀態(tài),在異常中斷程序返回前,程序再切換到ARM狀態(tài)。

ARM處理器總是從ARM狀態(tài)開(kāi)始執行。因而,如果要在調試器中運行Thumb程序,必須為該Thumb程序添加一個(gè)ARM

程序頭,然后再切換到Thumb狀態(tài),執行Thumb程序。

10.ARM處理器運行模式
ARM微處理器支持7種運行模式,分別為:

用戶(hù)模式(usr):ARM處理器正常的程序執行狀態(tài);

快速中斷模式(fiq):用于高速數據傳輸或通道管理;

外部中斷模式(irq):用于通用的中斷處理;

管理模式(svc):操作系統使用的保護模式;

數據訪(fǎng)問(wèn)終止模式(abt):當數據或指令預取終止時(shí)進(jìn)入該模式,用于虛擬存儲及存儲保護;

系統模式(sys):運行具有特權的操作系統任務(wù);

未定義指令中止模式(und):當未定義指令執行時(shí)進(jìn)入該模式,可用于支持硬件協(xié)處理器的軟件仿真。

11.ARM體系結構所支持的異常類(lèi)型
ARM體系結構所支持的異常和具體含義如下(圈里面的數字表示優(yōu)先級):

復位①:當處理器的復位電平有效時(shí),產(chǎn)生復位異常,程序跳轉到復位異常處執行(異常向量:0x0000,0000

);

未定義指令⑥:當ARM處理器或協(xié)處理器遇到不能處理的指令時(shí),產(chǎn)生為定義異常?墒褂迷摦惓C制進(jìn)行軟件

仿真(異常向量:0x0000,0004);

軟件中斷⑥:有執行SWI指令產(chǎn)生,可用于用戶(hù)模式下程序調用特權操作指令?墒褂迷摦惓C制實(shí)現系統功能

調用(異常向量:0x0000,0008);

指令預取中止⑤:若處理器的預取指令的地址不存在,或該地址不允許當前指令訪(fǎng)問(wèn),存儲器會(huì )向處理器發(fā)出

中止信號,當預取指令被執行時(shí),才會(huì )產(chǎn)生指令預取中止異常(異常向量:0x0000,000C);

數據中止②:若處理器數據訪(fǎng)問(wèn)的指令的地址不存在,或該地址不允許當前指令訪(fǎng)問(wèn),產(chǎn)生數據中止異常(異

常向量:0x0000,0010);

IRQ④(外部中斷請求):當處理器的外部中斷請求引腳有效,且CPSR中的I位為0時(shí),產(chǎn)生IRQ異常。系統的外

設可以該異常請求中斷服務(wù)(異常向量:0x0000,0018);

FIQ③(快速中斷請求):當處理器的快速中斷請求引腳有效,且CPSR中的F位為0時(shí),產(chǎn)生FIQ異常(異常向量

:0x0000,001C)。

說(shuō)明:其中異常向量0x0000,0014為保留的異常向量。


12.ARM體系結構的存儲器格式
ARM體系結構的存儲器格式有如下兩種:

大端格式:字數據的高字節存儲在低地址中,字數據的低字節存放在高地址中;

小端格式:與大端存儲格式相反,高地址存放數據的高字節,低地址存放數據的低字節。

13.ARM寄存器總結
ARM有16個(gè)32位的寄存器(r0到r15)。

r15充當程序寄存器PC,r14(link register)存儲子程序的返回地址,r13存儲的是堆棧地址。

ARM有一個(gè)當前程序狀態(tài)寄存器:CPSR。

一些寄存器(r13,r14)在異常發(fā)生時(shí)會(huì )產(chǎn)生新的instances,比如IRQ處理器模式,這時(shí)處理器使用r13_irq和

r14_irq

ARM的子程序調用是很快的,因為子程序的返回地址不需要存放在堆棧中。

14.存儲器重新映射(Remap)的原因
使Flash存儲器中的FIQ處理程序不必考慮因為重新映射所導致的存儲器邊界問(wèn)題;

來(lái)處理代碼空間中段邊界仲裁的SRAM和Boot Block向量的使用大大減少;

為超過(guò)單字轉移指令范圍的跳轉提供空間來(lái)保存常量。

ARM中的重映射是指在程序執行過(guò)程中通過(guò)寫(xiě)某個(gè)功能寄存器位操作達到重新分配其存儲器地址空間的映射。一

個(gè)典型的應用就是應用程序存儲在 Flash/ROM中,初始這些存儲器地址是從0開(kāi)始的,但這些存儲器的讀時(shí)間比

SRAM/DRAM長(cháng),造成其內部執行頻率不高,故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存

儲器空間,將相應SRAM/DRAM映射到地址0,重新執行程序可達到高速運行的目的。

15.存儲異常向量表中程序跳轉使用LDR指令,而不使用B指令的原因
LDR指令可以全地址范圍跳轉,而B(niǎo)指令只能在前后32MB范圍內跳轉;

芯片具有Remap功能。當向量表位于內部RAM或外部存儲器中,用B指令不能跳轉到正確的位置。

16.鎖相環(huán)(PLL)注意要點(diǎn)
PLL在芯片復位或進(jìn)入掉電模式時(shí)被關(guān)閉并旁路,在掉電喚醒后不會(huì )自動(dòng)恢復PLL的設定;

PLL只能通過(guò)軟件使能;

PLL在激活后必須等待其鎖定,然后才能連接;

PLL如果設置不當將會(huì )導致芯片的錯誤操作。

17.ARM7與ARM9的區別
ARM7內核是0.9MIPS/MHz的三級流水線(xiàn)和馮&S226;諾伊曼結構;ARM9內核是五級流水線(xiàn),提供1.1MIPS/MHz的哈佛

結構。

ARM7沒(méi)有MMU,ARM720T是MMU的;ARM9是有MMU的,ARM940T只有Memory protection unit.不是一個(gè)完整的MMU。

ARM7TDMI提供了非常好的性能——功耗比。它包含了Thumb指令集快速乘法指令和ICE調試技術(shù)的內核。ARM9的時(shí)

鐘頻率比ARM7更高,采用哈佛結構區分了數據總線(xiàn)和指令總線(xiàn)。

18.VIC的基本操作如下
設置IRQ/FIQ中斷,若是IRQ中斷則可以設置為向量中斷并分配中斷優(yōu)先級,否則為非向量IRQ。然后可以設置中

斷允許,以及向量中斷對應地址或非向量中斷默認地址。當有中斷后,若是IRQ中斷,則可以讀取向量地址寄存

器,然后跳轉到相應的代碼。當要退出中斷時(shí),對向量地址寄存器寫(xiě)0,通知VIC 中斷結束。當發(fā)生中斷時(shí),處

理器將會(huì )切換處理器模式,同時(shí)相關(guān)的寄存器也將會(huì )映射。

19.使用外部中斷注意
把某個(gè)引腳設置為外部中斷功能后,該引腳為輸入模式,由于沒(méi)有內部上拉電阻,所以必須外接一個(gè)上拉電阻,

確保引腳不被懸空;

除了引腳連接模塊的設置,還需要設置VIC模塊,才能產(chǎn)生外部中斷,否則外部中斷只能反映在EXTINT寄存器中

;

要使器件進(jìn)入掉電模式并通過(guò)外部中斷喚醒,軟件應該正確設置引腳的外部中斷功能,再進(jìn)入掉電模式。

20.UART0的基本操作方法
設置I/O連接到UART0;

設置串口波特率(U0DLM、U0DLL);

設置串口工作模式(U0LCR、U0FCR);

發(fā)送或接收數據(U0THR、U0RBR);

檢查串口狀態(tài)字或等待串口中斷(U0LSR)。

21.I2C的基本操作方法
I2C主機基本操作方法如下:

設置I2C管腳連接;

設置I2C時(shí)鐘速率(I2SCLH、I2SCLL);

設置為主機,并發(fā)送起始信號(I2CONSET的I2EN、STA位為1,AA位為0);

發(fā)送從機地址(I2DAT),控制I2CONSET發(fā)送;

判斷總線(xiàn)狀態(tài)(I2STAT),進(jìn)行數據傳輸控制;

發(fā)送結束信號(I2CONSET)。

I2C從機基本操作方法:

設置I2C管腳連接;

設置自身的從機地址(I2ADR);

使能I2C(I2CONSET的I2EN、AA位為1);

判斷SI位或等待I2C中斷,等待主機操作;

判斷總線(xiàn)狀態(tài)I2STAT,進(jìn)行數據傳輸控制。

22. PWM基本操作方法
PWM基本操作方法如下:

連接PWM功能管腳輸出,即設置PINSEL0、PINSEL1;

設置PWM定時(shí)器的時(shí)鐘分頻值(PWMPR),得到所要的定時(shí)器時(shí)鐘;

設置比較匹配控制(PWMMCR),并設置相應比較值(PWMMRx);

設置PWM輸出方式并允許PWM輸出(PWMPCR)及鎖存使能控制(PWMLER);

設置PWMTCR,啟動(dòng)定時(shí)器,使能PWM;

運行過(guò)程中要更改比較值時(shí),更改之后要設置鎖存使能。

使用雙邊沿PWM輸出時(shí),建議使用PWM2、PWM4、PWM6;使用單邊PWM輸出時(shí),在PWM周期開(kāi)始時(shí)為高電平,匹配后

為低電平,使用PWMMR0作為PWM周期控制,PWMMRx作為占空比控制。


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