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兩款新型FET驅動(dòng)器有助于納秒級LiDAR應用和50MHz DC / DC轉換器 德州儀器（TI）推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應晶體管（FET）驅動(dòng)器，進(jìn)一步擴展了其業(yè)內領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡(luò )追蹤等速度關(guān)鍵應用中實(shí)現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.ti.com.cn/lmg1210-pr-cn.。 
憑借業(yè)內最佳的驅動(dòng)速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側GaN驅動(dòng)器可在工業(yè)LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進(jìn)一步提升效率。 LMG1210是一款50-MHz半橋驅動(dòng)器，專(zhuān)為高達200 V的GaN場(chǎng)效應晶體管而設計。該器件的可調死區時(shí)間控制功能能夠將高速DC / DC轉換器、電機驅動(dòng)器、D類(lèi)音頻放大器及其它功率轉換應用效率提高多達5％。設計人員可利用超過(guò)300 V / ns的業(yè)內最高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）實(shí)現較高的系統抗噪聲能力。 LMG1020和LMG1210的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢 • 高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅動(dòng)器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實(shí)現遠程LIDAR應用。 • 高效率：這兩款器件均可實(shí)現高效率設計。 LMG1210提供1 pF的低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)電容和用戶(hù)可調的死區時(shí)間控制，可將效率提高多達5％。 • 功率密度：LMG1210中的死區時(shí)間控制集成功能可減少元件數量并提高效率，使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內最小封裝和最高分辨率。 TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢 LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員，從200V驅動(dòng)器到80V和600V功率級。憑借超過(guò)1,000萬(wàn)小時(shí)的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿(mǎn)足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術(shù)帶來(lái)數十年的硅制造專(zhuān)業(yè)技術(shù)和高級器件開(kāi)發(fā)人才。 加快設計所需的支持和工具 設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動(dòng)器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開(kāi)始他們的氮化鎵設計。 封裝和供貨情況 LMG1020和LMG1210的原型樣品現已在TI商店和公司的授權分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò )上提供。 LMG1020采用WCSP封裝，而LMG1210采用四方扁平無(wú)引腳（QFN）封裝。 |
