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應用材料公司日前宣布其在材料工程方面取得重大突破，該技術(shù)可大幅提升大數據和人工智能時(shí)代的芯片性能。 過(guò)去，把少量易于集成的材料根據經(jīng)典的摩爾定律來(lái)微縮加工就可以改善芯片性能、功耗和面積/成本（PPAC）。而如今，諸如鎢和銅之類(lèi)的材料已無(wú)法在10nm代工節點(diǎn)以下進(jìn)行微縮，因為它們的電學(xué)性能已達到晶體管通孔和本地互連的物理限制。這已經(jīng)成為無(wú)法發(fā)揮FinFET晶體管全部性能的主要瓶頸。鈷消除了這一瓶頸，但也需要在工藝系統上進(jìn)行策略的改變。隨著(zhù)業(yè)界將器件結構微縮到極限尺寸，材料的性能表現會(huì )有所不同，因而必須在原子層面系統地進(jìn)行工程，通常需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。 為了能夠在晶體管接觸和互聯(lián)使用鈷作為新的導電材料，應用材料公司已在Endura平臺上整合了多個(gè)材料工程步驟：預清潔、PVD、ALD以及CVD。此外，應用材料公司還推出了一套集成的鈷套件，其中包括Producer平臺上的退火技術(shù)、Reflexion LK Prime CMP平臺上的平坦化技術(shù)、PROVision平臺上的電子束檢測技術(shù)。憑借這項經(jīng)過(guò)驗證的集成材料解決方案，客戶(hù)可以縮短其產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間，并提高7納米制程及以下的芯片性能。 
應用材料公司半導體產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁珀拉布∙拉賈（Prabu Raja）博士表示：“五年前，應用材料公司就預計晶體管接觸和互聯(lián)會(huì )有所變革，因此我們開(kāi)始開(kāi)發(fā)替代的材料解決方案，借此突破10納米制程的限制。應用材料公司匯集其化學(xué)、物理、工程和數據科學(xué)領(lǐng)域的專(zhuān)家，深入探索應用材料公司的廣泛技術(shù)，為業(yè)界開(kāi)創(chuàng )突破性的集成材料解決方案。隨著(zhù)大數據和人工智能時(shí)代的來(lái)臨，這樣的變革將會(huì )越來(lái)越多。我們很高興能夠與客戶(hù)盡早開(kāi)展更為深入的合作，從而幫助客戶(hù)加速其發(fā)展藍圖并助力實(shí)現那些我們曾夢(mèng)寐以求的高性能器件�！� 雖然在集成方面仍具挑戰，但鈷為芯片性能及芯片制造帶來(lái)了顯著(zhù)的好處——在較小的尺寸下實(shí)現更低更穩定的電阻；可在非常精細的尺寸下改進(jìn)材料填充；能提高材料可靠性。應用材料公司集成的鈷套件目前正發(fā)往世界各地的晶圓代工廠(chǎng)/邏輯芯片客戶(hù)手中。 |
