三星欲超車(chē)臺積電 稱(chēng)2020年將量產(chǎn)3納米技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2018-12-14 10:31    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 3nm , 臺積電 , 三星
來(lái)源:TechNews科技新報

存儲器市場(chǎng)正面臨景氣反轉的憂(yōu)慮。日前,外資花旗銀行在一份報告中表示,2019 年在 NAND Flash 方面將會(huì )降價(jià) 45%,而 DRAM 方面則會(huì )降價(jià) 30%,這樣的情況至少會(huì )持續到年中。

這雖然對消費者來(lái)說(shuō)是件好事,但是對存儲器大廠(chǎng),尤其是目前市占率排名第一的三星來(lái)說(shuō)卻是個(gè)警示。因此,為降低存儲器景氣反轉所帶來(lái)的沖擊,三星持續強化在晶圓代工上的發(fā)展,日前更表示要超越臺積電,在 2020 年量產(chǎn) 3 納米技術(shù)。

根據外媒報道,日前三星晶圓代工業(yè)務(wù)負責人 Eun Seung Jung 在國際電子元件會(huì )議 (IEDM) 上表示,三星已經(jīng)完成了 3 納米制程技術(shù)的性能驗證,并且正在進(jìn)一步完善該制程技術(shù)的情況下,目標將是預計在 2020 年大規模量產(chǎn),而這個(gè)時(shí)程也將超前臺積電在 2022 年正式量產(chǎn) 3 納米制程技術(shù)的計劃。

事實(shí)上,在當前全球晶圓代工市場(chǎng)上,臺積電已是一家獨大,占有全球晶圓代工市場(chǎng)大約 60% 的市占率。不僅營(yíng)收遠超其他廠(chǎng)商,而且在當前最先進(jìn)的 7 納米制程節點(diǎn)上,幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單。

根據臺積電早前透露,2018 年流片了 50 多個(gè) 7納米芯片,2019 年還有 100 多個(gè) 7 納米及加強版 7 納米 + 制程的訂單。因此,競爭對手三星要在 7 納米制程的節點(diǎn)追趕臺積點(diǎn)難度很高,所以將目光放在了更先進(jìn)的 3 納米制程節點(diǎn)上。

過(guò)去,在晶圓代工方面,三星之前也是有過(guò)領(lǐng)先歷史。在包括 32 納米、14納米及 10 納米等制程節點(diǎn)上都率先量產(chǎn)。不過(guò),7 納米制程節點(diǎn)上,三星則是進(jìn)度落后臺積電。而且,連自家的 Exynos 9820 處理器也沒(méi)有使用上內含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程,采用的還是 10 納米制程所改進(jìn)的 8 納米 LPP 制程。雖然,在名稱(chēng)上聽(tīng)起來(lái)跟 7 納米制程差不多,但實(shí)際上相較華為麒麟 980、蘋(píng)果 A12及高通驍龍 855 等新一代旗艦型的處理器,仍落后一世代的技術(shù)。

另外,在當前存儲器市場(chǎng)面臨降價(jià)的大環(huán)境下,三星在半導體業(yè)務(wù)上的重點(diǎn)也開(kāi)始傾向發(fā)展晶圓代工。2017 年,三星晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收為 46 億美元,而目前三星的目標是將營(yíng)收增加一倍,也就是到 100 億美元以上、不過(guò),要實(shí)現這個(gè)目標,三星除了斥資 56 億美元興建新的晶圓廠(chǎng)之外,還要在技術(shù)上加把勁,趕超臺積電。

只是,說(shuō)來(lái)容易,做起來(lái)恐怕很難。因為在 3 納米技術(shù)的節點(diǎn)上,臺積電除了準備投資新臺幣 6,000 億元(約 200 億美元)的資金建立新廠(chǎng)房與技術(shù)開(kāi)發(fā)之外,目前更加緊與各知識產(chǎn)權廠(chǎng)商的合作,建立生態(tài)體系。

因此,雖然臺積電計劃在 2020 年建廠(chǎng),2021 年完成設備安裝,2022 年才能進(jìn)一步量產(chǎn),落后于三星預計在 2020 年量產(chǎn)的時(shí)程。但是,在整體生態(tài)體系的完整建立下,加上制程技術(shù)并非先推出者就有優(yōu)勢,屆時(shí)還必須視最后各自的良率表現。因此,三星 3 納米制程是否真能超越臺積電,恐怕還有很多的變數。
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