2018年12月24日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產(chǎn)品。LMG3410R070具有超低的輸入和輸出電容，支持高功率密度電動(dòng)機應用的新要求，適合的應用包括工業(yè)級和消費級電源。此款高性能GaN功率級產(chǎn)品支持的電流、溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率比硅晶體管更高，同時(shí)還可減少高達80%的開(kāi)關(guān)損耗。
貿澤電子供應的TI LMG3410R070 GaN功率級產(chǎn)品集成有柵極驅動(dòng)器和穩定可靠的保護功能，可提供比硅MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 更出色的性能。該器件具有零共源極電感、25至100 V/ns可由用戶(hù)調整的壓擺率以及適合兆赫級作業(yè)的20 ns傳播延遲。這款穩定可靠的IC提供過(guò)電流保護，支持超過(guò)150 V/ns壓擺率的抗擾性、過(guò)熱保護以及瞬態(tài)過(guò)電壓抗擾性，且所有供電軌皆具備過(guò)電壓鎖定保護功能。LMG3410R070功率級產(chǎn)品采用尺寸小巧的8 mm × 8 mm QFN封裝，無(wú)需外部保護元件，有助于簡(jiǎn)化設計和布局流程。 功能強大的LMG3410R070很適合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面貼裝電容器使用。KC-LINK電容器經(jīng)過(guò)特別設計，具有極低的有效串聯(lián)電阻和熱阻，可幫助裝置承受高頻率、高電壓DC鏈路應用的應力，從而滿(mǎn)足TI LMG3410R070 IC 等快速開(kāi)關(guān)半導體的需求。 TI LMG3410R070功率級產(chǎn)品提供優(yōu)異的功率密度， 有助于實(shí)現totem-pole PFC之類(lèi)的高效拓撲，幫助電源縮小高達50%的尺寸。LMG3410R070 IC適合的應用包括多級轉換器、太陽(yáng)能逆變器、高電壓電池充電器和不間斷電源。 有關(guān)如何將TI LMG3410R070 GaN功率級產(chǎn)品與KEMET KC-LINK電容器搭配以實(shí)現GaN電源解決方案效率最大化，請訪(fǎng)問(wèn)eng.info.mouser.com/kemet-ti-gan-solutions。 要進(jìn)一步了解TI LMG3410R070功率級產(chǎn)品，請訪(fǎng)問(wèn)：www.mouser.com/ti-lmg3410r070-gan-power-stage。 |
