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先進(jìn)的氮化鎵(GaN)技術(shù)可大幅提高功率和效率 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch™3系列恒壓/恒流離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個(gè)負載范圍內提供95%的高效率，并且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自?xún)炔块_(kāi)發(fā)的高壓氮化鎵開(kāi)關(guān)技術(shù)。 
準諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一個(gè)表面貼裝封裝內集成了初級電路、次級電路和反饋電路。在新發(fā)布的系列器件中，氮化鎵開(kāi)關(guān)替換了IC初級的常規高壓硅晶體管，這可以降低電流流動(dòng)期間的傳導損耗，并極大降低工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗。這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。 新IC無(wú)需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作，因此適用于高效率反激式設計，例如，移動(dòng)設備、機頂盒、顯示器、家電、網(wǎng)絡(luò )設備和游戲機的USB-PD和大電流充電器/適配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的電源特性可以通過(guò)改變硬件參數的方式進(jìn)行配置，而InnoSwitch-Pro集成先進(jìn)的數字接口，可通過(guò)軟件實(shí)現對恒壓和恒流的設置點(diǎn)、異常處理以及安全模式選項的控制。 Power Integrations總裁兼首席執行官Balu Balakrishnan表示：“在實(shí)現高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項明顯優(yōu)于硅技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)。我們預計眾多電源應用會(huì )從硅晶體管快速轉換為氮化鎵。自從我們在18個(gè)月之前推出硅技術(shù)新器件以來(lái)，InnoSwitch3已成為離線(xiàn)開(kāi)關(guān)電源IC市場(chǎng)當之無(wú)愧的技術(shù)先行者，隨著(zhù)我們的反激式產(chǎn)品在效率和功率能力的提高，新的氮化鎵IC進(jìn)一步鞏固了我們的優(yōu)勢地位�！� Power Integrations全新的InnoSwitch 3 IC現已開(kāi)始供貨，基于10,000片的訂貨量每片單價(jià)為4美元。Power Integrations網(wǎng)站提供了五款新的參考設計，均為輸出功率介于60 W到100 W的USB-PD充電器，此外還提供了自動(dòng)化設計工具PI Expert™以及其他技術(shù)支持文檔。 |
