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4月2日，意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造企業(yè)英諾賽科（Innoscience）共同宣布，雙方已簽署一項氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議。這一合作標志著(zhù)雙方在氮化鎵功率技術(shù)領(lǐng)域將展開(kāi)深入合作，共同推動(dòng)該技術(shù)的創(chuàng )新與應用。 根據協(xié)議內容，意法半導體與英諾賽科將合作推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃。雙方將充分發(fā)揮各自在半導體領(lǐng)域的優(yōu)勢，共同研發(fā)更高效、更可靠的氮化鎵功率器件，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對高性能電源轉換、運動(dòng)控制與驅動(dòng)系統的需求。 此外，協(xié)議還規定了雙方在生產(chǎn)制造方面的合作。英諾賽科將能夠借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產(chǎn)能，生產(chǎn)其氮化鎵晶圓。同時(shí)，意法半導體也將利用英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能，生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。這種靈活的供應鏈布局將有效拓展雙方的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場(chǎng)供應能力，提升供應鏈韌性。 意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發(fā)揮IDM這一模式的優(yōu)勢，為全球客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值。我們期待通過(guò)此次合作，加速氮化鎵功率技術(shù)的部署，進(jìn)一步完善現有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合，并通過(guò)靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶(hù)�！� 英諾賽科董事長(cháng)兼創(chuàng )始人駱薇薇博士也對此次合作表示了高度期待。她指出：“氮化鎵技術(shù)對實(shí)現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關(guān)重要。英諾賽科率先實(shí)現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，并已在多個(gè)領(lǐng)域取得顯著(zhù)成果。我們非常期待與意法半導體的合作，共同推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的普及與應用，為全球客戶(hù)帶來(lái)更高性能、更可靠的解決方案�！� |
