貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動(dòng)器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產(chǎn)品系列，與傳統硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統尺寸，并專(zhuān)門(mén)針對速度關(guān)鍵型功率轉換應用進(jìn)行了優(yōu)化。
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實(shí)現超高性能與高效運行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優(yōu)于傳統硅半橋驅動(dòng)器。此器件還具有1 pF的低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)電容和用戶(hù)可調的死區時(shí)間控制，可讓設計人員優(yōu)化系統內的死區時(shí)間，進(jìn)而改善效率。 LMG1210擁有3.4 ns高側/低側延遲匹配、4 ns最小脈寬和內部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅動(dòng)電壓。本驅動(dòng)器還具備超過(guò)300 V/ns的業(yè)內超高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTT)，可實(shí)現較高的系統抗擾性。 TI LMG1210驅動(dòng)器適用于高速DC/DC轉換器、電機控制、D類(lèi)音頻放大器、E類(lèi)無(wú)線(xiàn)充電、RF包絡(luò )跟蹤以及其他功率轉換應用。 更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers。 |
